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damao4361556

铁虫 (正式写手)

[求助] 对于超胞,QE ibrav 参数的选取。重金感谢

3*3*3超胞是cubic相单胞构建来的,想请教下QE在计算的时候, ibrav  celldm 等参数该怎么选取呢?是选用自由坐标表示 还是 怎么的。
请各位指点下。。。。
另外 在 优化的时候 是否有必要计算 应力 和 原子所受的力, 即设置 tstress   tprnfor
还有 优化时 有必要设置 nbnd  吗

问题有点多,谢各位指点
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damao4361556

铁虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by liqizuiyang at 2014-11-19 09:32:13
半导体能只优化gamma点吗?分子?

有两种写法,第一种是K_POINTS {gamma},下面什么都没有;
第二种是
K_POINTS {automatic}
1 1 1 0 0 0...

谢谢回复,我体系非常大 还是基于立方相  为减少计算耗费 所以想就直接用gama点来优化。
我记得以前看过一个帖子 说对于K点 优化的时候:
计算量不大 可以用 多K点,
计算量适中 可以 自动产生K点
计算量很大的时候  可以用单gama点
是这样吧,但是如果用gama点优化,能带 计算的时候 必须要用到 多K点 吧?

这里的基矢 就 是 超胞 的晶格参数吧?
那在指定ibrav=0以后 还需要设置  celldm(1) = **吗? 这个** 也是晶格参数吧
7楼2014-11-19 10:00:22
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liqizuiyang

木虫 (著名写手)

★ ★
damao4361556(ljw4010代发): 金币+2, 谢谢解答! 2014-11-20 20:45:00
1.建议采用ibrav=0,然后指定原胞基矢;
2. 有必要;
3.如果是金属,或者考虑自旋极化,需要设置nbnd;
2楼2014-11-18 14:11:16
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damao4361556

铁虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by liqizuiyang at 2014-11-18 14:11:16
1.建议采用ibrav=0,然后指定原胞基矢;
2. 有必要;
3.如果是金属,或者考虑自旋极化,需要设置nbnd;

你好 谢谢。
我还想问下 原胞基矢 是指 原胞的 晶格参数吗? 还是 超胞的?

设置 tstress   tprnfor 对 优化的结构会有影响吗? 设置 了 会 增加计算 耗费吧

我计算的是半导体纳米材料,设置 nbnd 可以用默认值吗?

期待 你的回复。
3楼2014-11-19 02:14:32
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damao4361556

铁虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by liqizuiyang at 2014-11-18 14:11:16
1.建议采用ibrav=0,然后指定原胞基矢;
2. 有必要;
3.如果是金属,或者考虑自旋极化,需要设置nbnd;

不好意思, 还有一个问题就是

我如果在优化时 只用 单个 gama 点 , 输入文件 最后 K点 部分  应该 怎么 表示呢

谢谢
4楼2014-11-19 03:57:09
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