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damao4361556

铁虫 (正式写手)

[求助] 对于超胞,QE ibrav 参数的选取。重金感谢

3*3*3超胞是cubic相单胞构建来的,想请教下QE在计算的时候, ibrav  celldm 等参数该怎么选取呢?是选用自由坐标表示 还是 怎么的。
请各位指点下。。。。
另外 在 优化的时候 是否有必要计算 应力 和 原子所受的力, 即设置 tstress   tprnfor
还有 优化时 有必要设置 nbnd  吗

问题有点多,谢各位指点
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liqizuiyang

木虫 (著名写手)

引用回帖:
11楼: Originally posted by Dirac12345 at 2014-11-19 15:13:41
你好
谢谢回复
celldm(1)=1。89是固定的吗?
那如果 我不使用 alat 而 使用 angstrom
celldm(1)该怎么取呢?还存在 那个 帖子里面的 换算关系吗?如 celldm(1)*cell parameter = 实际晶格参数...

如果直接使用cell_parameters {angsrtom},就不需要指定celldm(1)了。
12楼2014-11-19 17:03:40
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普通回帖

liqizuiyang

木虫 (著名写手)

★ ★
damao4361556(ljw4010代发): 金币+2, 谢谢解答! 2014-11-20 20:45:00
1.建议采用ibrav=0,然后指定原胞基矢;
2. 有必要;
3.如果是金属,或者考虑自旋极化,需要设置nbnd;
2楼2014-11-18 14:11:16
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damao4361556

铁虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by liqizuiyang at 2014-11-18 14:11:16
1.建议采用ibrav=0,然后指定原胞基矢;
2. 有必要;
3.如果是金属,或者考虑自旋极化,需要设置nbnd;

你好 谢谢。
我还想问下 原胞基矢 是指 原胞的 晶格参数吗? 还是 超胞的?

设置 tstress   tprnfor 对 优化的结构会有影响吗? 设置 了 会 增加计算 耗费吧

我计算的是半导体纳米材料,设置 nbnd 可以用默认值吗?

期待 你的回复。
3楼2014-11-19 02:14:32
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damao4361556

铁虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by liqizuiyang at 2014-11-18 14:11:16
1.建议采用ibrav=0,然后指定原胞基矢;
2. 有必要;
3.如果是金属,或者考虑自旋极化,需要设置nbnd;

不好意思, 还有一个问题就是

我如果在优化时 只用 单个 gama 点 , 输入文件 最后 K点 部分  应该 怎么 表示呢

谢谢
4楼2014-11-19 03:57:09
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liqizuiyang

木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by damao4361556 at 2014-11-19 02:14:32
你好 谢谢。
我还想问下 原胞基矢 是指 原胞的 晶格参数吗? 还是 超胞的?

设置 tstress   tprnfor 对 优化的结构会有影响吗? 设置 了 会 增加计算 耗费吧

我计算的是半导体纳米材料,设置 nbnd 可以用默 ...

超胞就是重复N1 x N2 x N3次的原胞,因此这里的“原胞基矢”指的是这个超胞的基矢。

QE优化原子坐标同时使用力判据和能量判据,tstress和tprnfor这两个变量不会影响最终结果,对总计算量的影响可忽略不计。

可以使用默认nbnd。
5楼2014-11-19 09:30:45
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liqizuiyang

木虫 (著名写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by damao4361556 at 2014-11-19 03:57:09
不好意思, 还有一个问题就是

我如果在优化时 只用 单个 gama 点 , 输入文件 最后 K点 部分  应该 怎么 表示呢

谢谢...

半导体能只优化gamma点吗?分子?

有两种写法,第一种是K_POINTS {gamma},下面什么都没有;
第二种是
K_POINTS {automatic}
1 1 1 0 0 0
6楼2014-11-19 09:32:13
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damao4361556

铁虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by liqizuiyang at 2014-11-19 09:32:13
半导体能只优化gamma点吗?分子?

有两种写法,第一种是K_POINTS {gamma},下面什么都没有;
第二种是
K_POINTS {automatic}
1 1 1 0 0 0...

谢谢回复,我体系非常大 还是基于立方相  为减少计算耗费 所以想就直接用gama点来优化。
我记得以前看过一个帖子 说对于K点 优化的时候:
计算量不大 可以用 多K点,
计算量适中 可以 自动产生K点
计算量很大的时候  可以用单gama点
是这样吧,但是如果用gama点优化,能带 计算的时候 必须要用到 多K点 吧?

这里的基矢 就 是 超胞 的晶格参数吧?
那在指定ibrav=0以后 还需要设置  celldm(1) = **吗? 这个** 也是晶格参数吧
7楼2014-11-19 10:00:22
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Dirac12345

新虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by liqizuiyang at 2014-11-19 09:32:13
半导体能只优化gamma点吗?分子?

有两种写法,第一种是K_POINTS {gamma},下面什么都没有;
第二种是
K_POINTS {automatic}
1 1 1 0 0 0...

你好
请问下 我在别的帖子上看到 了 关于 ibrav celldm(1)的设置问题。
我想问下 celldm(1)=1.89 是怎么来的呢,为什么要1/0.529呢?还有cell_parameter的默认单位是 Angstrom 吗? 基矢与celldm(1)的关系是如以下内容所说的吗?
以下是帖子部分内容,抱歉发不了链接额否则会被小木虫和谐掉
==========================
ibrav=0,celldm(1)=3.776000,nat=12,ntyp=2,
上面的部分celldm(1)=3.776000修改为celldm(1)=1.89,其中1.89这个取值的由来是1/0.529。这是因为从您的Lattice vector来看您采用的单位是Angstrom,但是我按照这个输入报错了,似乎不支持在CELL_PARAMETERS后面加上单位。而默认的单位是Bohr,我们在这个位置进行换算,并且TiO2锐钛矿的001面的a和b应该是3.776Angstrom。
如果按照您原先的设置,实际计算采用的a和b会变为
a=3.776000*3.776000 b=3.776000*3.776000 c=19.0875880*3.776000,这里单位也会是Bohr,这样不收敛也非常正常。
celldm(1)这个参数相当于一个整体晶格的标度因子
celldm*CELL_PARAMETERS才是实际的晶格参数
都是斯坦惹的祸
8楼2014-11-19 11:05:50
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liqizuiyang

木虫 (著名写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by Dirac12345 at 2014-11-19 11:05:50
你好
请问下 我在别的帖子上看到 了 关于 ibrav celldm(1)的设置问题。
我想问下 celldm(1)=1.89 是怎么来的呢,为什么要1/0.529呢?还有cell_parameter的默认单位是 Angstrom 吗? 基矢与celldm(1)的关系是如以 ...

这么设置纯粹是因为XCrysDen不能识别CELL_PARAMETERS {angstrom},因此只能用CELL_PARAMETERS {alat},并且设置celldm(1)=1.89,这样基矢坐标就可以直接以angstrom为单位。

cell_parameter单位是alat,就是celldm(1)的值,celldm(1)单位是bohr。
9楼2014-11-19 11:50:23
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liqizuiyang

木虫 (著名写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by damao4361556 at 2014-11-19 10:00:22
谢谢回复,我体系非常大 还是基于立方相  为减少计算耗费 所以想就直接用gama点来优化。
我记得以前看过一个帖子 说对于K点 优化的时候:
计算量不大 可以用 多K点,
计算量适中 可以 自动产生K点
计算量很大的 ...

能带计算必须要用到多K点。

celldm(1)是缩放因子,不一定要等于晶格常数。
10楼2014-11-19 11:51:37
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