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[求助]
金属氢化物表面掺杂
我做金属氢化物掺杂，用castep算占据能是5.43eV，文献中用VASP算是1.86eV
请问这个正常吗？
我的计算步骤是：
geometry optimization MgH2(primitive cell)，
make P1,
cleave surface, slab vcacuum,
supercell, 固定表面两层以下的原子，
然后geometry opt the slab,
在表面间隙添加元素 Cu，
然后做geometry opt。
求大神指点啊，刚开始做这个 |
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