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金属氢化物表面掺杂
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我做金属氢化物掺杂，用castep算占据能是5.43eV，文献中用VASP算是1.86eV 请问这个正常吗？ 我的计算步骤是： geometry optimization MgH2(primitive cell)， make P1, cleave surface, slab vcacuum, supercell, 固定表面两层以下的原子， 然后geometry opt the slab, 在表面间隙添加元素 Cu， 然后做geometry opt。 求大神指点啊，刚开始做这个  |
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2楼2014-11-09 12:57:36
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