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硅太阳能电池 已有1人参与
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掺有施主杂质的半导体常温下导带中的电子数比掺杂前增多，称为n型材料，掺有受主杂质的称为p型材料，常见的太阳电池实质上是个面积很大的p-n结二极管。当太阳光照射到太阳电池上时，其中一部分被表面反射掉，其余部分被太阳电池吸收或透过。被吸收的光，有一些转换成热能，另一些能量大于半导体禁带宽度的光子，穿过减反射膜进入半导体中。在N区，耗尽区和P区中同硅原子价电子碰撞，将能量传给价带的电子，使电子跃迁到导带，而在价带留下一个空穴，产生了电子一空穴对。这样，光能就以产生电子一空穴对的形式转变为电能。由于在P型和n型交界面两边形成了势垒电场，能将电子驱向N区，空穴则被驱向P区。在n区中，光生电子一空穴对产生以后，光生空穴便向p-n结边界扩散，一旦到达p-n结边界，便立即受到内建电场作用，被电场力牵引作漂移运动，越过耗尽区进入P区，光生电子(多子)则被留在n区。P区中的光生电子(少子)同样地先因为扩散、后因为漂移而进入N区，光生空穴(多子)留在P区。如此便在p-n结附近形成与势垒电场方向相反的光生电场。光生电场的一部分除抵销势垒电场外，还使P型层带正电，N型层带负电，当有负载接入时，就产生光生电流(通过电极来收集)。 我想问在P型和N型交界面两边形成了势垒电场的问题，我不懂这个势垒电场，然后将电子推向N区，空穴推向P区，为什么会这样呢？我是初学者，N区不是参杂了P元素有多出的电子吗？求助，谢谢 |
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