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lzn_t木虫 (小有名气)
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GGA+U计算讨论 已有5人参与
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最近使用Castep计算了CdTe半导体，使用含有32个原子的超晶胞。对体系结构优化成功后，先使用GGA(PBE)进行计算，得到带隙宽度为0.579eV。再使用GGA+U计算，得到带隙宽度为0.592eV。 计算的参数设置满足收敛性测试，在+U计算时，对Cd原子d电子加U=2.0eV(默认值)，其他电子不加U。 那么，问题是：1. CdTe的带隙宽度实验值为1.61eV，而这里的计算值远小于实验值，是否是因为计算设置上有不合理之处？ 2. CdTe中的Cd原子属于过渡族金属，其电子结构为3s2 sp6 3d10 4p6 4d10 5s2，Te的电子结构3s2 sp6 3d10 4p6 4d10 5s2 5p4，+U计算时，体系默认只对Cd原子的d电子+U，其他电子及Te原子的电子不+U。这样是否合理？ |
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