| 查看: 235 | 回复: 0 | ||
841818924木虫 (小有名气)
|
[求助]
低掺杂N型GaAs如何做电极
|
| 想要测低掺杂甚至不掺杂N型GaAs的迁移率，通过测霍耳系数得到。但以前只测过普通的半导体材料，没有测过低掺杂的。用以前的办法引入的电阻太大，对迁移率影响太大。求大神指点，最好能给我相关的文献。谢谢 |
回复此楼» 猜你喜欢
上海交通大学--宁波东方理工大学电池方向博士招生
已经有10人回复
-
“双一流”高校石油工程2026年招收石油工程硕士调剂
已经有0人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有190人回复
-
海南大学全国重点实验室杨金霖老师招收储能电池方向博士生（2026年3月报名，9月入学）
已经有2人回复
-
海南师范大学2026年博士研究生招收 (在职想提升学历人员可报考) 申请考核制+普通招考
已经有1人回复
-
招收化学博士研究生
已经有0人回复
-
青岛大学功能染料与应用技术研究院（杰青/长江团队）招收2026年审核制博士生！
已经有0人回复
-
大孔弱碱性丙烯酸系阴离子交换树脂的合成工艺
已经有1人回复
-
Molecules特刊征稿，欢迎大家咨询投稿。
已经有2人回复
-
青岛科技大学高分子学院--让我们一起做有趣的研究
已经有8人回复
-
JACS投稿
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
找到一些相关的精华帖子，希望有用哦~
GaAs材料掺杂问题 求助！！！！！！
已经有22人回复
- 【求助】请问为什么GaAs掺杂Al会从直接带隙变为间接
已经有12人回复
点击这里搜索更多相关资源科研从小木虫开始，人人为我，我为人人