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santiago_qdu

木虫 (正式写手)

[交流] 钙钛矿型薄膜中的电学性能转化

最近做的实验里发现,本来导电的薄膜退火以后,薄膜的导电性能明显下降,这可能的原因有哪些呢?希望大师们能给我解答一下
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chinaworm

专家顾问 (知名作家)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
退火后不在是半导体,电阻率增大

[ 发自小木虫客户端 ]
Tomorrow is tomorrow
2楼2014-10-07 08:01:40
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yanglei839

金虫 (正式写手)

木虫

★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
santiago_qdu: 金币+3 2014-10-08 12:47:33
退火后,缺陷减少,载流子浓度下降,电学性能下降

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
hopeisagoodthing........
3楼2014-10-07 14:14:18
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santiago_qdu

木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by chinaworm at 2014-10-07 08:01:40
退火后不在是半导体,电阻率增大

能说说具体原因吗?我想问的是机制,有这方面的资料论文也可以的
4楼2014-10-08 12:44:13
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santiago_qdu

木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by yanglei839 at 2014-10-07 14:14:18
退火后,缺陷减少,载流子浓度下降,电学性能下降

你是想说空位导电吧,然后空位减少了电学性能就下降了!但是我做的是在真空中退火,理论上氧空位应该增加才对
5楼2014-10-08 12:47:11
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wu1008

金虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
什么材料,什么之辈条件,什么都没有。。。。你等着神出现吧
6楼2014-10-08 16:42:53
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santiago_qdu

木虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by wu1008 at 2014-10-08 16:42:53
什么材料,什么之辈条件,什么都没有。。。。你等着神出现吧

ABO3型的薄膜,过氧下制备,发现薄膜导电性很好,在真空中退火以后导电性明显下降接近绝缘体了,搞不懂为什么,希望这位大哥能指导一番
7楼2014-10-09 14:37:33
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yanglei839

金虫 (正式写手)

木虫


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by santiago_qdu at 2014-10-07 16:47:11
你是想说空位导电吧,然后空位减少了电学性能就下降了!但是我做的是在真空中退火,理论上氧空位应该增加才对...

我之前也存在你这样的困惑,可是真空度又能达到多少呢?

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
hopeisagoodthing........
8楼2014-10-12 12:04:23
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