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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 其它 » 用CHI660做电化学沉积如何能减慢纳米线的沉积速率？
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低垂的野花

新虫 (正式写手)

[求助] 用CHI660做电化学沉积如何能减慢纳米线的沉积速率？ 已有1人参与

CHI660做电化学沉积实验，如何能减慢纳米线的沉积速率？以更好地控制其厚度。
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1楼 2014-09-11 18:53:48
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775015384

新虫 (初入文坛)
泛泛的说一说，沉积的电流密度降低，电解液浓度降低，同意二楼
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7楼2014-09-12 17:34:42
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
电位，温度，浓度，基本就这些的吧
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2楼2014-09-11 20:47:12
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低垂的野花

新虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by gxytju2008 at 2014-09-11 20:47:12
电位，温度，浓度，基本就这些的吧

温度对其影响大吗？温度越低，反应越慢，对吧？
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3楼2014-09-12 09:36:34
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低垂的野花

新虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by gxytju2008 at 2014-09-11 20:47:12
电位，温度，浓度，基本就这些的吧

因为我现在想做仅有几个nm厚的薄膜，采用的是AAO模板，但是按照别人文献中的实验参数，得出的沉积速率较大，不好通过时间控制该层的厚度？所以现在在寻求解决办法。望您能多多指教。
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4楼2014-09-12 10:05:22
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