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用CHI660做电化学沉积如何能减慢纳米线的沉积速率?
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用CHI660做电化学沉积如何能减慢纳米线的沉积速率?
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CHI660做电化学沉积实验,如何能减慢纳米线的沉积速率?以更好地控制其厚度。
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gxytju2008
at 2014-09-11 20:47:12
电位,温度,浓度,基本就这些的吧
温度对其影响大吗?温度越低,反应越慢,对吧?
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2014-09-12 09:36:34
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gxytju2008
at 2014-09-11 20:47:12
电位,温度,浓度,基本就这些的吧
因为我现在想做仅有几个nm厚的薄膜,采用的是AAO模板,但是按照别人文献中的实验参数,得出的沉积速率较大,不好通过时间控制该层的厚度?所以现在在寻求解决办法。望您能多多指教。
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低垂的野花
at 2014-09-12 10:05:22
因为我现在想做仅有几个nm厚的薄膜,采用的是AAO模板,但是按照别人文献中的实验参数,得出的沉积速率较大,不好通过时间控制该层的厚度?所以现在在寻求解决办法。望您能多多指教。...
额。。几个nm,电沉积非常难做的,个人不咋看好,电沉积法不适合做晶粒非常小的薄膜,可以考虑气相沉积啥的
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2014-09-12 10:18:34
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gxytju2008
at 2014-09-12 10:18:34
额。。几个nm,电沉积非常难做的,个人不咋看好,电沉积法不适合做晶粒非常小的薄膜,可以考虑气相沉积啥的...
你好,你可以看看这篇文献Fabrication and magnetotransport properties of ordered sub-100 nm pseudo-spin-valve element arrays,因为我不会上传文献,这篇文献就是我想重复的工作,您看看,能不能提出什么意见?谢谢。
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6楼
2014-09-12 10:47:26
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泛泛的说一说,沉积的电流密度降低,电解液浓度降低,同意二楼
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