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低垂的野花

新虫 (正式写手)

[求助] 用CHI660做电化学沉积如何能减慢纳米线的沉积速率? 已有1人参与

CHI660做电化学沉积实验,如何能减慢纳米线的沉积速率?以更好地控制其厚度。
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
电位,温度,浓度,基本就这些的吧
2楼2014-09-11 20:47:12
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低垂的野花

新虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by gxytju2008 at 2014-09-11 20:47:12
电位,温度,浓度,基本就这些的吧

温度对其影响大吗?温度越低,反应越慢,对吧?
3楼2014-09-12 09:36:34
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低垂的野花

新虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by gxytju2008 at 2014-09-11 20:47:12
电位,温度,浓度,基本就这些的吧

因为我现在想做仅有几个nm厚的薄膜,采用的是AAO模板,但是按照别人文献中的实验参数,得出的沉积速率较大,不好通过时间控制该层的厚度?所以现在在寻求解决办法。望您能多多指教。
4楼2014-09-12 10:05:22
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
4楼: Originally posted by 低垂的野花 at 2014-09-12 10:05:22
因为我现在想做仅有几个nm厚的薄膜,采用的是AAO模板,但是按照别人文献中的实验参数,得出的沉积速率较大,不好通过时间控制该层的厚度?所以现在在寻求解决办法。望您能多多指教。...

额。。几个nm,电沉积非常难做的,个人不咋看好,电沉积法不适合做晶粒非常小的薄膜,可以考虑气相沉积啥的
5楼2014-09-12 10:18:34
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低垂的野花

新虫 (正式写手)

引用回帖:
5楼: Originally posted by gxytju2008 at 2014-09-12 10:18:34
额。。几个nm,电沉积非常难做的,个人不咋看好,电沉积法不适合做晶粒非常小的薄膜,可以考虑气相沉积啥的...

你好,你可以看看这篇文献Fabrication and magnetotransport properties of ordered sub-100 nm pseudo-spin-valve element arrays,因为我不会上传文献,这篇文献就是我想重复的工作,您看看,能不能提出什么意见?谢谢。
6楼2014-09-12 10:47:26
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775015384

新虫 (初入文坛)

泛泛的说一说,沉积的电流密度降低,电解液浓度降低,同意二楼
7楼2014-09-12 17:34:42
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