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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 交流探讨 » 自蔓延高温合成与热压烧结法制备三元陶瓷，哪种方法铝损失的多呢
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daydayup719

新虫 (初入文坛)

[求助] 自蔓延高温合成与热压烧结法制备三元陶瓷，哪种方法铝损失的多呢 已有2人参与

自蔓延高温合成与热压烧结法制备三元陶瓷，哪种方法铝损失的多呢
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1楼 2014-08-31 08:04:40
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pengyuan209

木虫 (著名写手)

小小虫

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
你的自蔓延体系是什么呢？合适设计，算好热能，能有效避免成分的挥发，铝蒸汽压达到1mm汞柱的温度是1537℃，0.1mm汞柱的温度是1370℃,0.01mm汞柱的温度是1220℃。在控制挥发上是比热压要有优势的。
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心若在，梦就在！
3楼2014-09-01 12:56:56
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Amydadada

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
在做自蔓延。铝的挥发与反应体系的温度有关，如果温度高于铝的沸点，挥发量会很大，温度低于铝的沸点也可能挥发。热压的不懂。

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2楼2014-08-31 08:42:59
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