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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 【求助】关于p-n junction的问题
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新雨

至尊木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】关于p-n junction的问题

哪位高人能推荐一些p-n结制备方面的资料（文献，书籍均可，最好带有所用设备的原理图）。

我在这里先谢谢各位了！

[ Last edited by zt970831 on 2008-4-17 at 19:08 ]
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1楼 2008-04-07 22:20:36
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eagleforever

木虫 (正式写手)
★
zt970831(金币+1,VIP+0):谢谢您的答复：）
施敏，半导体器件物理，很基础的
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2楼2008-04-08 10:42:49
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juloong

木虫 (职业作家)

X射线衍/散射测试
正解
引用回帖:
Originally posted by eagleforever at 2008-4-8 10:42:
施敏，半导体器件物理，很基础的

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3楼2008-04-08 13:31:09
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新雨

至尊木虫 (著名写手)
有没有综述性的文献？
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4楼2008-04-08 14:46:28
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zhouliang768

★ ★ ★
zt970831(金币+3,VIP+0):谢谢您的热心答复：）
我觉得一般的文献可能不太方便楼主理解PN节的概念，一般的半导体物理书都可以找到详细的介绍。如果楼主想了解PN节制备技术，要看你说的是有机PN节还是无机PN节或者是有机无机杂化PN节了，具体的工艺细节很复杂，涉及很多方面的问题，建议楼住查查美国物理会的文献，会有很多这方面的资料，综述也有很多。
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5楼2008-04-09 16:18:32
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新雨

至尊木虫 (著名写手)
首先谢谢楼上的指教，关于p-n结的制备，我想全面了解。我试着查了一下美国物理学会的文献，但没有找到制备方面有关具体的工艺细节的文献，楼上能否推荐几篇？在这里先谢过了！
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6楼2008-04-09 16:49:21
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元小雪

木虫 (职业作家)
★
zt970831(金币+1,VIP+0):谢谢您的热心答复：）
这样的话可以去看一下掺杂和刻蚀的相关资料,因为我觉得楼主己经很了解半导体的基本知识了.
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无聊的博士
7楼2008-04-09 18:37:27
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zhouliang768

★ ★ ★
lvzhu2007(金币+3,VIP+0):感谢您的热心答复~
新雨，您好，很抱歉我没法给你提供具体的文献资料；首先，我不知道你是做什么的，具体的说不知道你想了解那种类型的器件，因为不同类型的器件有不同的结构，也就需要不同的制备工艺；第二，PN节只是一种结构类型，而不是具体的结构，不能一概论之；第三，非常细节的制备技术，涉及核心机密，一般是保密的，我想你在文献上很难查到具体的制备参数，就是有也基本上都是假的，但你可以了解他大概用的是什么工艺流程，也很有帮助。
如果你有很明确的目标，比如说你做有机太阳能电池，你只要输入organic solar cell就能查到很多相关的文献。这些文献可以帮助你理解器件的工作原理和过程，也可以帮助你设计器件结构，但器件的具体制备工艺方面，你所能了解得很少，我们组当初为了摸清楚一些制作工艺，用去三年多时间才初步了解一些。
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8楼2008-04-10 09:20:26
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新雨

至尊木虫 (著名写手)
zhouliang768您好！首先谢谢你的热心答复。可能是由于我说的不够明白。我是想了解p-n结原理及制备方面的东西（主要是从广度方面，要有一定的深度。）。我是做材料的，不是做器件的。工艺方面以后再说。
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9楼2008-04-10 21:33:32
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zhouliang768

★ ★
musi429(金币+2,VIP+0):多谢交流~~
其实PN结的原理也简单，所谓P指的是空穴为主子的P型半导体，N指的是电子为主子的N型半导体，PN结说的就是P型半导体和N型半导体的结合形成的异质结；P型半导体和N型半导体一旦接触，由于其载流子浓度的巨大差异，必然会产生载流子的定向迁移，也就是说，P型半导体内部的空穴会向N型半导体方向漂移，N型半导体内部的电子会向P型半导体方向漂移，从而在结合处形成具有一定厚度的载流子耗尽区，并且产生内建电势。
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10楼2008-04-11 13:25:40
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