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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 【求助】关于p-n junction的问题
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新雨

至尊木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】关于p-n junction的问题

哪位高人能推荐一些p-n结制备方面的资料（文献，书籍均可，最好带有所用设备的原理图）。

我在这里先谢谢各位了！

[ Last edited by zt970831 on 2008-4-17 at 19:08 ]
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1楼 2008-04-07 22:20:36
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zhouliang768

★ ★
musi429(金币+2,VIP+0):多谢交流~~
其实PN结的原理也简单，所谓P指的是空穴为主子的P型半导体，N指的是电子为主子的N型半导体，PN结说的就是P型半导体和N型半导体的结合形成的异质结；P型半导体和N型半导体一旦接触，由于其载流子浓度的巨大差异，必然会产生载流子的定向迁移，也就是说，P型半导体内部的空穴会向N型半导体方向漂移，N型半导体内部的电子会向P型半导体方向漂移，从而在结合处形成具有一定厚度的载流子耗尽区，并且产生内建电势。
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10楼2008-04-11 13:25:40
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eagleforever

木虫 (正式写手)
★
zt970831(金币+1,VIP+0):谢谢您的答复：）
施敏，半导体器件物理，很基础的
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2楼2008-04-08 10:42:49
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juloong

木虫 (职业作家)

X射线衍/散射测试
正解
引用回帖:
Originally posted by eagleforever at 2008-4-8 10:42:
施敏，半导体器件物理，很基础的

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3楼2008-04-08 13:31:09
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新雨

至尊木虫 (著名写手)
有没有综述性的文献？
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4楼2008-04-08 14:46:28
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