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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 关于GaAs-Hfo2的 MOS电容仿真需要考虑GaAs的non-parobolic效应？
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破卷天涯

银虫 (著名写手)

[求助] 关于GaAs-Hfo2的 MOS电容仿真需要考虑GaAs的non-parobolic效应？ 已有1人参与

各位大神虫友，在下在读GaAs的文献时，遇到了non-parobolic效应，是说GaAs的能带不是抛物线的，但是师兄说在CV仿真的时候也有一个non-parobolic效应要考虑，到底有几个non-parobolic效应啊？CV仿真的时候所考虑的那个non-parobolic效应究竟是什么效应啊？

       研一小弟，虔诚求教！！！！！

      路过大神，万望指点！！！！！
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1楼 2014-07-25 16:41:18
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
破卷天涯: 金币+10 2014-08-01 09:18:00
引用回帖:
8楼: Originally posted by 破卷天涯 at 2014-07-31 00:00:46
其中黑色的曲线是理想的，也就是没有任何界面态的，另外一个是在禁带中添加了一条受主界面态的，位置位于费米能及以上。

刚开始的时候，阈值电压发生负向偏移，可是受主界面太那时候还没有带上电荷，怎么会负向 ...

不是非常了解你simulation的过程，但是如果杂质放入半导体内，是会被电离的，一旦电离，就会带电，然后就会改变阈值电压。如果是有structure的话，建议你看一下电荷分布以及电荷极性。而且GaAs是离子晶体，应该不难电离杂质，你要仔细研究一下你simulator的一些原理
那个扭曲的地方，我觉得应该还有点其他的杂质，或者是体内杂质引起的。
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哈哈哈哈，来吧
9楼2014-07-31 23:22:35
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
其实不该回复你的，这都是基础知识，我觉得两个不是一个东西。你应该切实的去做一下，或者问问你老板，你就知道了。
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哈哈哈哈，来吧
2楼2014-07-26 15:20:36
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破卷天涯

银虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by jeremyfrc at 2014-07-26 15:20:36
其实不该回复你的，这都是基础知识，我觉得两个不是一个东西。你应该切实的去做一下，或者问问你老板，你就知道了。

但是我读了好多文献，但凡是说nonparabolic的都是说能带的nonparabolic，没有见到又说其他什么nonparaboic的啊啊啊啊啊
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3楼2014-07-26 23:33:24
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by 破卷天涯 at 2014-07-26 08:33:24
但是我读了好多文献，但凡是说nonparabolic的都是说能带的nonparabolic，没有见到又说其他什么nonparaboic的啊啊啊啊啊...

测过CV么？MOS的CV是什么样的？
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哈哈哈哈，来吧
4楼2014-07-29 04:11:32
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