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破卷天涯

银虫 (著名写手)

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[求助] 关于GaAs-Hfo2的 MOS电容仿真需要考虑GaAs的non-parobolic效应？已有1人参与

各位大神虫友，在下在读GaAs的文献时，遇到了non-parobolic效应，是说GaAs的能带不是抛物线的，但是师兄说在CV仿真的时候也有一个non-parobolic效应要考虑，到底有几个non-parobolic效应啊？CV仿真的时候所考虑的那个non-parobolic效应究竟是什么效应啊？

研一小弟，虔诚求教！！！！！

路过大神，万望指点！！！！！

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有关仿真的几个知识已经有4人回复

1楼 2014-07-25 16:41:18

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破卷天涯

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引用回帖:

6楼: Originally posted by jeremyfrc at 2014-07-30 00:39:56
你的曲线是什么形状的？可以贴个图么？自己手画一个也可以。...

其中黑色的曲线是理想的，也就是没有任何界面态的，另外一个是在禁带中添加了一条受主界面态的，位置位于费米能及以上。

刚开始的时候，阈值电压发生负向偏移，可是受主界面太那时候还没有带上电荷，怎么会负向偏移，就算是偏移也应该正向偏移啊

至于那个扭曲的地方为何会出现，本来以为是因为Et在Ef以上的原因，后来发现在Ef一下也会有扭曲，所以暂时解释不了。