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破卷天涯

银虫 (著名写手)

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[求助] 关于GaAs-Hfo2的 MOS电容仿真需要考虑GaAs的non-parobolic效应？已有1人参与

各位大神虫友，在下在读GaAs的文献时，遇到了non-parobolic效应，是说GaAs的能带不是抛物线的，但是师兄说在CV仿真的时候也有一个non-parobolic效应要考虑，到底有几个non-parobolic效应啊？CV仿真的时候所考虑的那个non-parobolic效应究竟是什么效应啊？

研一小弟，虔诚求教！！！！！

路过大神，万望指点！！！！！

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有关仿真的几个知识已经有4人回复

1楼 2014-07-25 16:41:18

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引用回帖:

9楼: Originally posted by jeremyfrc at 2014-07-31 23:22:35
不是非常了解你simulation的过程，但是如果杂质放入半导体内，是会被电离的，一旦电离，就会带电，然后就会改变阈值电压。如果是有structure的话，建议你看一下电荷分布以及电荷极性。而且GaAs是离子晶体，应该不难 ...

好吧，我再分析分析，Thanks all the same for your sincerely help