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1楼2014-07-18 22:39:57

huxiao.gl

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【答案】应助回帖

个人觉得，误差2%~4%不算太大。DFT本来就有误差。
你将截断能增加到600eV，K点增到10*10*4再试试。
对于简单晶体的优化，不需要降低收敛阀值。
如果参数设对了，fine也是很容易收敛的。

good luck

8楼2014-07-19 20:53:54

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huxiao.gl

木虫 (小有名气)

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【答案】应助回帖

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截断能至少350~400eV才合理. 300eV以下算出来的结果基本没有意义。

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yeahgyz

good luck

2楼2014-07-19 02:48:21

yeahgyz

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引用回帖:

2楼: Originally posted by huxiao.gl at 2014-07-19 02:48:21
截断能至少350~400eV才合理. 300eV以下算出来的结果基本没有意义。

我看黄铜矿文献上取的245，还有一篇取的是280。如果提高截短能，晶胞常数会不会更趋于实验值，误差更小些？别人为什么截短能200多就能收敛，我的不能呢？

[ 发自小木虫客户端 ]

3楼2014-07-19 09:01:42

卡开发发

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测试过程建议采用结构单点，一旦确定参数，做结构优化，并在优化结构的单点做参数的检验，这样可以节约时间。最后确定截断能和k不是随便设定一个，而是由测试确定，如果很小的截断能能够满足测试条件，直接使用也无妨（当然我觉得不太可能）。如果测试不能达到标准，或是标准较低，导致的结果就是计算“力”及“应力”会产生偏差，导致结构优化失败。除了这两个参数，空带数目是否充分也很重要。

原则上来说，截断能和k越充分结果是越好的，但是由于DFT的特性，于是不见得是这样。对于某些结构，PBEsol也许比PBE好得多。

不一定挂在论坛，计算问题问题欢迎留言。

4楼2014-07-19 09:55:00