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制备原子级别平坦度的Si100表面 已有5人参与
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小女子做所谓的 单原子光刻技术相关的课题 简单的说 就是在原子级别平坦的H终端的Si表面，用STM的探针单独的把1个或几个氢原子脱离掉，然后再跟PH4反应，因为只有裸露的Si的位置才能与之反应。所以就能单独的把一个P原子的前身嵌入到Si表面中。 然后再退火，因为PH3的H和H终端的H的退火温度不一样，所以H终端可以当做光刻技术的MASK。 H原子全部脱离掉之后，再外延生长Si，这样就把单个P原子精确的嵌入到Si基板中了。 目前研究生阶段，只做到研究STM探针的电压 电流 时间与H原子脱离面积的相关性研究就可以了。 所以第一个问题就是制备 原子级别平坦度的H-Si（100）。 大多数论文都是用flash的方法，直接跟H2反应。这个我们设备做不到，而且比较危险，所以就无视了。 另一种是化学腐蚀法，先行研究成功的例子都是用Si111面。Si100面还没有特别成功的例子。 不过，其实所谓的不成功的例子是指没有大规模的制备出来，我想想 我也用不到大规模的，只要很小部分够平坦就可以了。所以想想，还是可行的。 不知道大家有没有什么经验呐~~~~~~我仅仅是从论文看到的方法，理想跟现实是有差距的。 PS 论文中最成功的例子是 用NH4F溶液，并且N2注入溶液来清除溶存的O2。 |
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 uicorn3 |
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