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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » Ⅲ/Ⅴ on Si 研究方向的文献题目
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破卷天涯

银虫 (著名写手)

[求助] Ⅲ/Ⅴ on Si 研究方向的文献题目 已有2人参与

各位虫友，小弟读研，做的方向是 Ⅲ/Ⅴ on Silicon 的集成，偏向工艺，师兄说这

方向比较新，论文不多，我读了一些文献，发现收获不多，不是很好，所以恳求各

位虫友，谁有这方面的的文献，求分享题目，如果有相关书籍的题目更好（我已经找过，有但

是都是讲解光器件的），如果没有资料，了解的帮我讲讲背景，进展也好！


我金币不多，只有这些，全都给了！！！！！！！！！！

[ Last edited by supernatural on 2014-7-14 at 09:44 ]
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1楼 2014-07-13 17:10:30
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yuan999

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
以前有很多人做，都做的不是很好，工艺很重要，现在挑战不小，
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我~心~依~旧
6楼2014-07-14 11:51:54
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wh1125

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
破卷天涯: 金币+20, ★有帮助, 我金币不多，不要嫌弃！！多谢了！！！ 2014-07-13 20:58:13
III/V on Silicon，你不是用来做光器件？这种结构主要是用来面向硅基光子学的，你想做电子器件？用这结构有啥优势啊~
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2楼2014-07-13 18:41:00
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破卷天涯

银虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wh1125 at 2014-07-13 18:41:00
III/V on Silicon，你不是用来做光器件？这种结构主要是用来面向硅基光子学的，你想做电子器件？用这结构有啥优势啊~

你说的很对，这种结构主要是用来做Si基光学器件的，不过我主要关注的是怎么样能在Si上生长很好的低缺陷的Ⅲ/Ⅴ，主要想解决晶格失配和热系数失配的问题，比如用Buffer什么的，而且研究生时间短，去长一个器件出来的可能很小。
此外，个人认为Ⅲ/Ⅴ on Silicon 如果可以生长出来很好的外延的话，那么在上面做电子器件也很有优势，比如在Si上长GaAs ， 电子器件性能好，而且至少衬底成本低了很多
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3楼2014-07-13 19:41:00
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wh1125

木虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 破卷天涯 at 2014-07-13 19:41:00
你说的很对，这种结构主要是用来做Si基光学器件的，不过我主要关注的是怎么样能在Si上生长很好的低缺陷的Ⅲ/Ⅴ，主要想解决晶格失配和热系数失配的问题，比如用Buffer什么的，而且研究生时间短，去长一个器件出来的 ...

你关注的“怎么样能在Si上生长很好的低缺陷的Ⅲ/Ⅴ”，这是个大难题，选择这个方向做，要慎重，就像你说的“研究生时间短”，而且硬件条件也是问题。
你可以看看UC Berkeley的Connie J.Chang-Hasnain教授这方面的工作，硅上长的GaAs纳米激光器。
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4楼2014-07-13 20:32:08
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