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半导体功函数计算,处理后费米能级都取零,真空能级能不能直接说成是功函数值
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dannygo
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半导体功函数计算,处理后费米能级都取零,真空能级能不能直接说成是功函数值
写文章时,半导体功函数的计算,费米能级处理后都取零,真空能级可不可以直接说成是功函数值
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1楼
2014-07-03 23:01:10
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valenhou001
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最好不要这样写,以免引起误会,让读者认为你对概念没有理解清楚。
最好画个示意图,标出真空能级的位置,费米能级的位置,这个两个之间给出功函数的值。
另外要注意的是,对本征半导体(没有载流子),一般少用功函数,而是将电子离化能(价带顶至真空能级)、电子亲和能(导带底至真空能级)。
通常是将真空能级的位置标为零,而不是将费米能级的位置标为零。
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13楼
2014-07-23 18:46:46
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soulhunter
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dannygo(金币+1): 谢谢参与
嘿嘿
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6楼
2014-07-04 02:57:05
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navyzhang
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13楼
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Originally posted by
valenhou001
at 2014-07-23 18:46:46
最好不要这样写,以免引起误会,让读者认为你对概念没有理解清楚。
最好画个示意图,标出真空能级的位置,费米能级的位置,这个两个之间给出功函数的值。
另外要注意的是,对本征半导体(没有载流子),一般少用 ...
请教侯老师一个问题
半导体的腐蚀,与其功函数有没有关系?
对于金属来说,有文献指出功函数越大,电子越不容易逃逸,金属越难被腐蚀。
还望不吝赐教,多谢!!!
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15楼
2017-05-27 11:32:52
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valenhou001
至尊木虫
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15楼
:
Originally posted by
navyzhang
at 2017-05-27 12:32:52
请教侯老师一个问题
半导体的腐蚀,与其功函数有没有关系?
对于金属来说,有文献指出功函数越大,电子越不容易逃逸,金属越难被腐蚀。
还望不吝赐教,多谢!!!...
应该有关。材料的腐蚀,就是一些H, O,Cl等相关的离子或小分子吸附在材料的表面了,导致表面的氧化等现象。
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16楼
2017-05-27 16:27:37
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dflbrzfq
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楼主在做第一性原理计算的时候是用的VASP吗,可以请教一下具体应该如何计算真空能级吗?计算出来的真空能级又该用什么软件进行处理呢。
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17楼
2018-12-25 16:14:07
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学生于川
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2014-07-03 23:21
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zls6110
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jinwei331
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Jameskelly
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kiss20085537
11楼
2014-07-04 08:25
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youzi_1992
12楼
2014-07-22 20:17
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大力水手9250
14楼
2015-05-19 10:39
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