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liuliu4411银虫 (正式写手)
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[交流]
如何计算半导体的价带导带的问题(例如利用电负性什么的)，请各位大虾帮帮忙
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在JPCC 2007，111，18288－18293 这篇文章的第四页谈到关于价带VB和导带CB的计算使用一个公式： Evb＝X－E(e)+0.5Eg X is the electronegativity of the semiconductor, which is the geometric mean of the electronegativity of the constituent atoms. 看了半天不知道这个X到底是什么意思?什么叫半导体的电负性... 或者大虾有其他方法计算导体的价带 导带(麻烦给一下文献),谢谢了 [ Last edited by liuliu4411 on 2008-3-27 at 11:47 ] |
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liuliu4411
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5楼2008-03-27 11:44:17
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3楼2008-03-27 08:56:04
liuliu4411
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where Evb the VB edge potential, X is the electronegativity of the semiconductor, which is the geometric mean of the electronegativity of the constituent atoms, E(e) is the energy of free electrons on the hydrogen scale (~4.5ev).Eg is the band gap energy of the semiconductor, and Ecb can be determined by ECB =EVB - Eg. The X values for BaTiO3 and Bi2O3 are ca. 5.242 and 5.986 eV, respectively. The calculated CB and VB edge potentials of BaTiO3 and Bi2O3 are shown in Figure 7. The CB edge potential of BaTiO3 (-0.83 eV) is more active than that of Bi2O3 (0.11 eV); hence, photoinduced electrons on the BaTiO3 particle surface transfer easily to Bi2O3 via interfaces; similarly, photoinduced holes on the Bi2O3 surface migrate to BaTiO3 owing to the different VB edge potentials. Bi 电负性是2.02ev O的电负性是3.44ev 怎么算出Bi2O3的X是5.986ev的.... 而且篇文章计算出来的CB VB结果跟American Mineralogist ,Volume 85,Pages 543-556,2000 上计算出来的CB VB完全不一样。。。。 [ Last edited by liuliu4411 on 2008-3-27 at 11:46 ] |
4楼2008-03-27 11:42:35