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liuliu4411

银虫 (正式写手)

[交流] 如何计算半导体的价带导带的问题(例如利用电负性什么的)，请各位大虾帮帮忙

在JPCC  2007，111，18288－18293

这篇文章的第四页谈到关于价带VB和导带CB的计算使用一个公式：

Evb＝X－E(e)+0.5Eg

X is  the  electronegativity  of  the  semiconductor,  which is the  geometric mean of the  electronegativity of  the  constituent atoms.

看了半天不知道这个X到底是什么意思?什么叫半导体的电负性...

或者大虾有其他方法计算导体的价带 导带(麻烦给一下文献),谢谢了

[ Last edited by liuliu4411 on 2008-3-27 at 11:47 ]
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人到底有低俗的权力吗？
1楼 2008-03-26 15:44:14
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liuliu4411

银虫 (正式写手)
where Evb the VB edge potential, X is the electronegativity of the semiconductor, which is the geometric mean of the electronegativity of the constituent atoms, E(e) is the energy of free electrons on the hydrogen scale (~4.5ev).Eg is the band gap energy of the semiconductor, and Ecb can be determined by ECB =EVB - Eg. The X values for BaTiO3 and Bi2O3 are ca. 5.242 and 5.986 eV, respectively. The calculated CB and VB edge potentials of BaTiO3 and Bi2O3 are shown in Figure 7. The CB    edge potential of BaTiO3 (-0.83 eV) is more active than that of Bi2O3 (0.11 eV); hence, photoinduced electrons on the BaTiO3 particle surface transfer easily to Bi2O3 via interfaces; similarly, photoinduced holes on the Bi2O3 surface migrate to BaTiO3 owing to the different VB edge potentials.


Bi 电负性是2.02ev  O的电负性是3.44ev  怎么算出Bi2O3的X是5.986ev的....


而且篇文章计算出来的CB VB结果跟American Mineralogist ,Volume 85,Pages 543-556,2000 上计算出来的CB VB完全不一样。。。。

[ Last edited by liuliu4411 on 2008-3-27 at 11:46 ]
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人到底有低俗的权力吗？
4楼2008-03-27 11:42:35
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lxtxgn

铁杆木虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
liuliu4411(金币+10,VIP+0):回答符合要求，特提供10G以示感谢
X 组成半导体原子的几何平均数

另外，希望楼主给指示 一下 E（e） 是什么东西， 想把这个公式看完整
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2楼2008-03-27 08:51:32
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lxtxgn

铁杆木虫 (正式写手)
原子电负性 的几何平均数， n次根号下 n个电负性乘积

我们算价带 导带 一般先用电化学法测试，应该是循环伏安， 再加上一个吸收光谱测试带隙

这样 lumo  homo 就都算出来了
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3楼2008-03-27 08:56:04
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liuliu4411

银虫 (正式写手)
2楼的 谢谢你了

我们组没有什么电化学测试。。。。能说一下具体要测试什么数据吗？我看能不能想办法测一下   再次麻烦了
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人到底有低俗的权力吗？
5楼2008-03-27 11:44:17
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