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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » 硅电池光谱响应不同的原因
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Asia--爱娘子

木虫 (小有名气)

研发助理工程师

[求助] 硅电池光谱响应不同的原因 已有1人参与

单晶硅、多晶硅、非晶硅光谱响应不同的原因？ P型硅和N型硅哪个钝化效果更好?
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单、多晶硅太阳能电池
1楼 2014-06-08 10:29:15
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omaha

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
非晶硅与晶体硅的吸收系数不同，光谱响应当然不同。非晶硅对大于600nm的光波响应急剧衰减，晶体硅对1000nm的光波还有较好的响应。
钝化效果不能一概而论，首先弄清楚使用哪种材料作为钝化层。
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Asia--爱娘子
3楼2014-06-09 13:37:28
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Asia--爱娘子

木虫 (小有名气)

研发助理工程师
送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by omaha at 2014-06-09 13:37:28
非晶硅与晶体硅的吸收系数不同，光谱响应当然不同。非晶硅对大于600nm的光波响应急剧衰减，晶体硅对1000nm的光波还有较好的响应。
钝化效果不能一概而论，首先弄清楚使用哪种材料作为钝化层。

非晶硅与晶体硅的吸收系数为什么不同？如果钝化层都是氮化硅呢，钝化效果怎样了？为什会有P、N型硅做电池呢，除掺杂不同还有其他什么区别呢？
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单、多晶硅太阳能电池
4楼2014-06-09 17:57:47
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omaha

银虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by Asia--爱娘子 at 2014-06-09 17:57:47
非晶硅与晶体硅的吸收系数为什么不同？如果钝化层都是氮化硅呢，钝化效果怎样了？为什会有P、N型硅做电池呢，除掺杂不同还有其他什么区别呢？...

晶体硅内部是排列规则的硅原子，非晶硅是短程有序长程无序排列的硅原子，因此二者的带隙不同，Si-1.12eV,a-Si 1.75eV左右，因此光吸收率不同。非晶硅沉积是本身就引入了H原子，钝化了Si悬挂键，因此氢化非晶硅本身就是一种良好的钝化材料，非晶硅电池不需要钝化层。
硅片本身就分为P、N型，因此会出现相应电池。目前工业常用的是P型硅片，是因为对P型硅片进行掺杂的B，易于在硅片中均匀分布，N型硅片掺杂工艺不易于控制。
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5楼2014-06-10 00:02:32
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静静一yi

捐助贵宾 (著名写手)

静静
商家已经主动声明此回帖可能含有宣传内容
楼主：需要硅片的话可以小企鹅：766053226
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15501697107
6楼2014-06-10 14:55:05
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