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zhoubebe

银虫 (小有名气)

[求助] 化学反应时,在晶体表面会产生凹坑,凹坑产生的最根本是否一定是材料自身缺陷诱导的? 已有4人参与

请问:
化学反应时,在晶体表面会产生凹坑,凹坑产生的最根本是否一定是材料自身缺陷诱导的?
化学反应是否真的不会改变材料表面本身的晶体结构?
不像机械作用那样,可以引起材料表面晶体结构的挤压变形。
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lsyang

禁言 (正式写手)

★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
zhoubebe: 金币+3, ★★★很有帮助 2014-06-25 10:36:01
本帖内容被屏蔽

2楼2014-05-19 18:37:33
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer


【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
zhoubebe: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-06-25 10:36:18
化学反应时,在晶体表面会产生凹坑,凹坑产生的最根本原因是材料自身缺陷诱导的,因为缺陷处能量较高,更加的不稳定,易被腐蚀。
3楼2014-05-19 19:16:04
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zhenwuhuang

至尊木虫 (文学泰斗)

【答案】应助回帖

★
感谢参与,应助指数 +1
zhoubebe: 金币+1, ★有帮助 2014-06-25 10:36:25
帮顶一下
多晶硅表面酸腐蚀制备绒面研究
http://www.doc88.com/p-733759414840.html
4楼2014-05-19 19:19:19
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chinaworm

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

★
感谢参与,应助指数 +1
zhoubebe: 金币+1 2014-06-25 10:36:31
应该是化学反应时在晶体材料的最弱的地方晶界开始的
反应在晶界处聚集
从而形成凹坑
Tomorrow is tomorrow
5楼2014-05-20 11:28:07
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zhoubebe

银虫 (小有名气)

谢谢各位热心的回复!
6楼2014-05-20 16:32:23
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zhoubebe

银虫 (小有名气)

我只想搞清楚,化学作用,是否会引起表面晶体结构的变化,如原子缺失引起晶体结构变形?
因为我们能清楚看到六方晶体的原子台阶。
其中产生原子级层面的微缺陷,但是不确定,是因为材料本身缺陷引起,还是化学作用过大引起的?
从各位回复来看,一切缺陷的根本仍然只是材料缺陷引起的,是吗?
化学作用也能进攻点缺陷,那是否又是说明我这种微凹坑,不一定是线缺陷位错诱导引起的?
我又发了一个帖子有AFM图
7楼2014-05-20 16:38:08
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zhoubebe

银虫 (小有名气)

8楼2014-05-23 16:22:58
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