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zhoubebe

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[求助] 化学反应时，在晶体表面会产生凹坑，凹坑产生的最根本是否一定是材料自身缺陷诱导的？已有2人参与

http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=7426193
此帖子补充ＡＦＭ图

我只想搞清楚，化学作用，是否会引起表面晶体结构的变化，如原子缺失引起晶体结构变形？
因为我们能清楚看到六方晶体的原子台阶。
其中产生原子级层面的微缺陷，但是不确定，是因为材料本身缺陷引起，还是化学作用过大引起的？
从各位回复来看，一切缺陷的根本仍然只是材料缺陷引起的，是吗？
化学作用也能进攻点缺陷，那是否又是说明我这种微凹坑，不一定是线缺陷位错诱导引起的？

缺陷AFM.png

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1楼2014-05-20 16:44:37

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loveyxc

木虫 (小有名气)

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【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
zhoubebe: 金币+3, ★★★很有帮助 2014-06-25 10:35:15

化学反应时，在晶体表面会产生凹坑，说明发生了原子迁移。原子的迁移的原因有许多种，影响因素也多，比如pH，zeta电位等，个人认为这还是化学作用决定的，晶格缺陷只能是加速了这种化学作用。比如蛇纹石的空间群为P31m，它表面有许多的Mg-OH基团，其中羟基比Mg2+更容易溶出，它的等电点在11-12之间，它在溶液中会随着pH的改变，-OH先溶出，其次是Mg2+溶出，而这种不等性解离使其表面出现凹坑，如果有晶格缺陷的话，可能会发生离子交换作用，会进一步加速解离的作用。