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关于发光波长与应力的关系
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伽鲁特
至尊木虫
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专业: 半导体光电子器件
[交流]
关于发光波长与应力的关系
已有2人参与
首先,测试PL谱或者拉曼光谱时,材料受到压应力时,发光波长蓝移,受到张应力时,发光波长红移,这一点毋庸置疑了。但是我根据自己的逻辑推理一遍,却出现了相反的结论:比如材料受压应力时,原子间距离变小,能级分裂加剧,能带展宽更大,导致禁带宽度变小,结果却是导致材料的发光波长红移。这与事实是相反的,能请大家指点一下我的推理在哪一个环节出现错误了吗?
最好是能帮忙解释一下压应力导致蓝移,张应力导致红移的具体原因
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1楼
2014-05-15 16:15:11
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啊灰灰辉
铜虫
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在线: 161.6小时
虫号: 3772023
注册: 2015-03-29
性别: GG
专业: 无机非金属材料
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
有没有文献解释这一机理?
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3楼
2017-03-03 14:47:03
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bible2
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注册: 2006-07-15
专业: 无机非金属类光电信息与功
管辖:
无机非金属
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
材料受到压应力时,发光波长蓝移,受到张应力时,发光波长红移--应该指的LED芯片一类的材料。(能带理论解释)
比如材料受压应力时,原子间距离变小,能级分裂加剧,能带展宽更大,导致禁带宽度变小,结果却是导致材料的发光波长红移。--似乎说的是荧光粉(晶体场理论解释)
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2楼
2014-05-17 16:58:52
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