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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 高分子 » 高分子物理 » 高分子结晶 成核控制 扩散控制？
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buctcc

金虫 (正式写手)
引用回帖:
19楼: Originally posted by 386992525 at 2014-05-18 13:51:50
如果成核仅是指结晶最开始高分子链有序排布形成晶核的过程的话。 那么，就意味着一旦晶核形成，之后晶体生长的过程只涉及到晶体生长（就是扩散过程）了。那么也就意味着球晶生长的速率仅由分子链扩散过程决定。
那 ...

一般情况下在偏光显微镜里看到的都是远高于Tg的结晶，因为只有大球晶你才可能去用POM来测量。在视野下一般看到多个大球晶，在球晶生长到快碰撞的的时候，可以自由运动的分子链已经不像开始的时候那么多了，就是由于扩散过程才导致半径增长的曲线像抛物线一样斜率变小。最后碰撞的那块儿，三个球晶的那块儿，无定型态的分量会很大。
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唯书是我最好的伙伴
21楼2014-05-19 02:54:56
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386992525

木虫 (正式写手)
高分子的结晶速率是由成核速率和晶体生长速率所共同决定的。按照传统的对于晶体生长过程的理解, 高分子本体中的分子链是在晶核的表面上吸附和铺展, 其生长动力学由成核机理控制[ 9, 10] 。而在高分子薄膜中, 特别是在超薄膜中, 晶体生长前沿出现分子链自扩散场[ 45] , 分子链需要从熔体扩散到生长前沿, 然后再吸附排列到晶体中。显然分子链的扩散能力是重要的, 即扩散机理有可能会控制晶体生长动力学。

这是一篇中文综述对成核控制以及扩散控制结晶生长的描述。
很显然，作者认为高分子链在初级核上的堆积过程（级次成核）也是一个成核过程。
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22楼2014-05-19 09:44:25
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buctcc

金虫 (正式写手)
引用回帖:
22楼: Originally posted by 386992525 at 2014-05-19 09:44:25
高分子的结晶速率是由成核速率和晶体生长速率所共同决定的。按照传统的对于晶体生长过程的理解, 高分子本体中的分子链是在晶核的表面上吸附和铺展, 其生长动力学由成核机理控制 。而在高分子薄膜中, 特别是在超薄膜 ...

初级成核次级成核当然都是成核啦...
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唯书是我最好的伙伴
23楼2014-05-19 14:14:01
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386992525

木虫 (正式写手)
引用回帖:
23楼: Originally posted by buctcc at 2014-05-19 14:14:01
初级成核次级成核当然都是成核啦......

恩 好的。 谢谢了。 希望有更多讨论的机会。
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24楼2014-05-19 15:03:31
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hupeta

金虫 (正式写手)
引用回帖:
17楼: Originally posted by 386992525 at 2014-05-17 22:00:38
这个理论好像也叫L-H次级成核理论，看了一些，没怎么把这个问题搞明白。 那么他的意思是高分子链在结晶核上堆砌的第一个链段也是一个成核过程啊？
另外，我看文献上说，结晶生长过程包含三个过程。首先是待结晶物 ...

H的理论好像是在熔融温度以上高分子链段都是无规的，然后当温度在熔融温度附近（小于熔融温度）是成核（扩散到成核），当结晶速率过了最高点（玻态温度附近），这个时候是生长是主线（成核-生长），
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25楼2014-11-21 10:25:09
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