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vmuch520

至尊木虫 (文坛精英)

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8楼: Originally posted by 386992525 at 2014-05-16 13:29:18
结晶由两个速率,一个是结晶总速率,一个是结晶生长速率(crystal grwath rate)。
文献就是说通过偏光测出来的结晶生长速率由成核和生长两部分控制。...

?!生长就是生长怎么跟成核有关呢?
11楼2014-05-16 13:35:17
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buctcc

金虫 (正式写手)

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5楼: Originally posted by 386992525 at 2014-05-16 13:17:43
非常感谢。 是有文献说thermaldynamic control or diffusion control的说法。
还有一事不明,望指教。
按照直观的想法是,成核之后晶体就会生长。晶体生长过程中应该不会再涉及到成核的过程。因此,结晶生长速率 ...

不矛盾的。 球晶生长的过程像二楼说的那样。有时候生长过程是热力学有的时候是动力学,跟温度有关,其实不止温度吧。
唯书是我最好的伙伴
12楼2014-05-17 13:35:28
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buctcc

金虫 (正式写手)

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9楼: Originally posted by 386992525 at 2014-05-16 13:31:03
那按照这样的思路。是不是意味着厚膜就是由成核控制了啊?...

膜的厚度由你物料的厚度有关。台湾成功大学的吴逸谟有篇文章里有张非常形象的图能让你知道球晶到底怎么长的。

如果物料很厚很厚,长出来的是个球。
唯书是我最好的伙伴
13楼2014-05-17 13:37:30
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buctcc

金虫 (正式写手)

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10楼: Originally posted by vmuch520 at 2014-05-16 13:34:04
不能吧,厚膜还是跟成核生长有关,其实薄膜中的情况复杂...

顺便问一句,有的Polyimide的超薄膜的热胀系数CTE是负的。这是个什么原理呢?我看文献没看懂。不知道你知道不知道。
唯书是我最好的伙伴
14楼2014-05-17 13:39:56
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386992525

木虫 (正式写手)

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14楼: Originally posted by buctcc at 2014-05-17 13:39:56
顺便问一句,有的Polyimide的超薄膜的热胀系数CTE是负的。这是个什么原理呢?我看文献没看懂。不知道你知道不知道。...

一般认为薄膜中存在残余应力或者薄膜处于非平衡态,会使薄膜在升温热处理过程中,释放出多余的体积,降低薄膜厚度,使膨胀系数为负值。
15楼2014-05-17 19:22:27
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shwps

木虫 (正式写手)

hoffman 的表面成核理论,晶体生长是先成核后生长,晶面上生长的第一个链段与随后生长的链段是有差别的。

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16楼2014-05-17 21:48:21
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386992525

木虫 (正式写手)

送红花一朵
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16楼: Originally posted by shwps at 2014-05-17 21:48:21
hoffman 的表面成核理论,晶体生长是先成核后生长,晶面上生长的第一个链段与随后生长的链段是有差别的。

这个理论好像也叫L-H次级成核理论,看了一些,没怎么把这个问题搞明白。 那么他的意思是高分子链在结晶核上堆砌的第一个链段也是一个成核过程啊?
另外,我看文献上说,结晶生长过程包含三个过程。首先是待结晶物质扩散至晶片边沿,这个过程叫扩散过程。第二个过程是在晶片边沿的高分子链吸附、堆砌在晶片上,使结晶生长,这个过程叫成核过程? 第三个过程是结晶潜热的释放。
因此,那到底是先扩散再成核,还是先成核再生长?
谢谢
17楼2014-05-17 22:00:38
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buctcc

金虫 (正式写手)

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17楼: Originally posted by 386992525 at 2014-05-17 22:00:38
这个理论好像也叫L-H次级成核理论,看了一些,没怎么把这个问题搞明白。 那么他的意思是高分子链在结晶核上堆砌的第一个链段也是一个成核过程啊?
另外,我看文献上说,结晶生长过程包含三个过程。首先是待结晶物 ...

我感觉你没明白结晶这个过程是个怎么回事儿。不过也有可能我猜错了...成核理论对的是最初始那一点,你看的文献上说,结晶生长过程包含三个过程........是后面分子链往最初那点上排布结晶,avrami方程里的。
唯书是我最好的伙伴
18楼2014-05-18 10:22:11
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386992525

木虫 (正式写手)

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18楼: Originally posted by buctcc at 2014-05-18 10:22:11
我感觉你没明白结晶这个过程是个怎么回事儿。不过也有可能我猜错了...成核理论对的是最初始那一点,你看的文献上说,结晶生长过程包含三个过程........是后面分子链往最初那点上排布结晶,avrami方程里的。...

如果成核仅是指结晶最开始高分子链有序排布形成晶核的过程的话。 那么,就意味着一旦晶核形成,之后晶体生长的过程只涉及到晶体生长(就是扩散过程)了。那么也就意味着球晶生长的速率仅由分子链扩散过程决定。
那么,为何用偏光显微镜测出来的球晶生长速率会是抛物线的形式呢?
19楼2014-05-18 13:51:50
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shwps

木虫 (正式写手)

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19楼: Originally posted by 386992525 at 2014-05-18 13:51:50
如果成核仅是指结晶最开始高分子链有序排布形成晶核的过程的话。 那么,就意味着一旦晶核形成,之后晶体生长的过程只涉及到晶体生长(就是扩散过程)了。那么也就意味着球晶生长的速率仅由分子链扩散过程决定。
那 ...

温度较低时成核控制,随着温度的升高,生长速率受成核和扩散控制,温度较高时,成核控制。
20楼2014-05-18 21:33:49
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