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386992525

木虫 (正式写手)

[求助] 高分子结晶 成核控制 扩散控制?已有1人参与

高分子结晶理论中,会出现成核控制机理 以及扩散控制机理两个机理。 想问一下,这两个机理是什么意思。什么条件下的结晶属于成核控制?什么条件下的结晶属于扩散控制?
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386992525

木虫 (正式写手)

送红花一朵
引用回帖:
16楼: Originally posted by shwps at 2014-05-17 21:48:21
hoffman 的表面成核理论,晶体生长是先成核后生长,晶面上生长的第一个链段与随后生长的链段是有差别的。

这个理论好像也叫L-H次级成核理论,看了一些,没怎么把这个问题搞明白。 那么他的意思是高分子链在结晶核上堆砌的第一个链段也是一个成核过程啊?
另外,我看文献上说,结晶生长过程包含三个过程。首先是待结晶物质扩散至晶片边沿,这个过程叫扩散过程。第二个过程是在晶片边沿的高分子链吸附、堆砌在晶片上,使结晶生长,这个过程叫成核过程? 第三个过程是结晶潜热的释放。
因此,那到底是先扩散再成核,还是先成核再生长?
谢谢
17楼2014-05-17 22:00:38
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vmuch520

至尊木虫 (文坛精英)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
386992525: 金币+10, ★★★很有帮助, 2 2014-05-16 13:18:20
一般来说,在Tm 以上晶体被熔融,而在Tg以下,链段被冻结,因此,通常只有在Tm和Tg之间,聚合物的本体结晶才能发生。靠近Tg时,链段运动活动能力弱,是扩散控制;异相成核可以在较高的温度下发生,而均相成核只有在稍低的温度下才能发生,靠近Tm时,是成核控制。
2楼2014-05-15 15:29:34
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386992525

木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by vmuch520 at 2014-05-15 15:29:34
一般来说,在Tm 以上晶体被熔融,而在Tg以下,链段被冻结,因此,通常只有在Tm和Tg之间,聚合物的本体结晶才能发生。靠近Tg时,链段运动活动能力弱,是扩散控制;异相成核可以在较高的温度下发生,而均相成核只有在 ...

有的文献说聚合物超薄膜的结晶速率由扩散机理控制。 这个怎么理解呢?
3楼2014-05-15 19:18:57
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buctcc

金虫 (正式写手)

扩散控制 和 成核控制 又可以称作 动力学控制 和 热力学控制。
然后再说 聚合物超薄膜的结晶速率由动力学控制,就好理解了吧。分子链的运动对结晶的影响更大。
唯书是我最好的伙伴
4楼2014-05-16 13:01:28
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