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为什么我用MS模拟出的硒化铅（PbSe）禁带宽度比理论值大很多？
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各位大侠，小弟最近用MS模拟硒化铅（PbSe）的能带结构，得到的禁带宽度大约为0.45~0.46eV，远大于理论值0.27~0.28eV。我看到论坛里很多贴子都说MS模拟会低估禁带宽度，为什么我的会大出这么多呢？望各位大侠指教，谢谢！ 具体模拟过程如下： (1)导入3D模型：从ICSD导入PbSe的.cif文件(总共27种我基本都试过，结果相差不大)； (2)结构优化：quality选fine；functional选GGA+PBE；其他设置为默认值； (3)能带计算：结构优化完成后，直接进行能带结构计算，参数设置与结构优化相同（除task选properties；properties选band structure 和 density of states）； (4)分析：analysis。 具体参数设置如图所示：  结构优化设置(1).png  结构优化设置(2).png  结构优化设置(3).png  结构优化设置(4).png  截图06.png |
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