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BJT穿通击穿
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| 关于BJT基区穿通击穿，在孟庆巨半导体器件物理中有这种说法：基区穿通时，发射结处的势垒被集电结电压降低了ΔV，于是发射结得到了一个正向偏压ΔV。请问集电结电压是如何降低发射结势垒的？ |
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