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yuanxin5254

金虫 (正式写手)

[交流] 关于光刻曝光能量和焦面的问题 已有1人参与

大家在做光刻之间是不是要找好曝光能量和焦深呢,大家都是用什么方法找出这两个参数的,一起交流一下哈。
  对了,不知大家都用的什么厂家的光刻机呢,有资料一起共享哈。
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我们坚持做一件事情,并不是这样做了有效果,而是坚信,这样做了是对的。
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yswyx

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你用的是stepper?
曝光能量的抓取一般都采用在标准值周围做一堆实验数据点,也就是同一片wafer用不同曝光剂量在不同位置曝光,其他工艺条件比如前烘/显影之类的都是完全一致的,然后再通过显微镜观察抓出最佳的曝光剂量。不同光刻机的实现方法不同。
不是简单的曝光能量的问题,实际上牵扯的是工艺窗口,越复杂的工艺,工艺窗口的维数越多,不仅仅是曝光能量的问题。
2楼2014-04-22 14:27:03
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yuanxin5254

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2014-04-22 14:27:03
你用的是stepper?
曝光能量的抓取一般都采用在标准值周围做一堆实验数据点,也就是同一片wafer用不同曝光剂量在不同位置曝光,其他工艺条件比如前烘/显影之类的都是完全一致的,然后再通过显微镜观察抓出最佳的曝 ...

我们一直是用这个方法做的啊,在显微镜下看的好好的,但是在扫描电镜下看到的就是不行啊,显微镜是垂直市场只能看到上表面啊。侧壁根本看不到啊
我们坚持做一件事情,并不是这样做了有效果,而是坚信,这样做了是对的。
3楼2014-04-22 15:50:33
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yswyx

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引用回帖:
3楼: Originally posted by yuanxin5254 at 2014-04-22 15:50:33
我们一直是用这个方法做的啊,在显微镜下看的好好的,但是在扫描电镜下看到的就是不行啊,显微镜是垂直市场只能看到上表面啊。侧壁根本看不到啊...

如果不垂直,线条边沿是有黑边的,因为那里没有光返回镜头。
4楼2014-04-28 16:23:26
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