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douluho

新虫 (初入文坛)

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[求助] 关于硅基碳构成的pn结的光照和暗光IV曲线已有1人参与

纠结了好久，实在不懂到底是哪个环节出了问题，用所有金币求大家帮忙 http:// $\"关于硅基碳构成的pn结的光照和暗光IV曲线\"$
首先，p型硅的下表面做的钛/金，n型碳膜的上表面做的网格型的金，给n碳膜接正极，p硅接电源负极（好像我电源是接反的，但是我感觉即使n碳膜接负极，p硅接正极，也只是交换了IV曲线的电压电流正负方向而已），在这种情况下光照和无光时候测到的I-V曲线如下图1所示，自己感觉很奇怪，因为1、电源都接反了还能测出有整流效应，2、而且感觉和文献中不同的是光照时候I-V曲线交坐标轴围成的区域都在第二象限，所以不知道问题出在了那里，求大家帮帮忙分析一下。
我们实验室是在硅上做碳膜的，我们做的碳膜有非晶的，也有晶粒很小的纳晶碳膜，基本上做的碳膜都是sp2含量比较高。之前用霍尔效应表征过直接溅射在p型硅上的碳膜，得出的结论是碳膜为n型（我觉得都在p型硅上了，还能得出是n型，碳膜应该肯定是n型了吧）。然后就按照这种思路我们认为碳和硅应该构成了pn结，在光照时候能表现出光伏效应，但现在得出的结果和我们想象中有差距，问题可能出在哪里呢？而且对于很多样品我们没有测到整流曲线，而是测到了像图3一样的曲线，并同时在有光的时候曲线变成图2的样子，这种现象是啥原因造成的啊？是我们的样品制作工艺中存在缺陷吗？为啥这样的片子（理论上和图1的片子应该差别大不大啊）测出的暗光曲线和图1完全不一样，而且还木有整流效应啊？
为了分析原因，我们也做了关于钛/金与硅接触的IV如图4，和金与碳膜接触的IV如图5.综合以上信息，大家能帮忙分析一下我们的问题出在哪里了吗？为啥1、电源都接反了还能测出有整流效应，2、为啥光照时候I-V曲线交坐标轴围成的区域都在第二象限3、为啥有的样品就死活测不出整流效应4、我们这个是碳膜和硅构成的Pn结在起作用吗？如果不是的话，是什么在起作用呢？