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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » 我用的分子束外延做的半导体薄膜 ，方阻太大了
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xubomatrix

铁虫 (小有名气)

[求助] 我用的分子束外延做的半导体薄膜 ，方阻太大了 已有2人参与

我用的MBE做的znsno3半导体薄膜，

实验结果，200nm左右半导体薄膜厚度透光率很高，百分之九十左右，可是方块电阻达到了0.5E5左右，
和文献上差的太远了，太大了
我一直在想，到底是什么原因造成此氧化物薄膜的电阻如此的高呢？？
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我终于相信，时间万般变化只是一个故事，不然怎会有那么多的起承转合，那么多伏笔、悬念，曲折与分晓，那么多情理之中与意料之外，那么多蓦然回首与恍然大悟。
1楼 2014-04-03 10:27:16
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xubomatrix

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 于士辉 at 2014-04-04 14:29:40
想改的的话就换衬底，我以前在钛酸锶和蓝宝石衬底上生长的znsno3方阻能达到几百，不过这确实没什么意义，成本太高，相对其他二元的没什么优势。...

我试了一下用si片做znsno3，方阻未发生变化，打算在氢气环境下退火，去氧化，在看看结果
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我终于相信，时间万般变化只是一个故事，不然怎会有那么多的起承转合，那么多伏笔、悬念，曲折与分晓，那么多情理之中与意料之外，那么多蓦然回首与恍然大悟。
9楼2014-04-09 22:27:33
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于士辉

木虫 (文坛精英)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
测一下XRD，偏锡酸锌在生长温度为700度以下不容易结晶。如果用后退火的方法又会导致氧空位减少，最好的方法就是提高生长温度，并调节生长气氛。
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2楼2014-04-03 11:50:10
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xubomatrix

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 于士辉 at 2014-04-03 11:50:10
测一下XRD，偏锡酸锌在生长温度为700度以下不容易结晶。如果用后退火的方法又会导致氧空位减少，最好的方法就是提高生长温度，并调节生长气氛。

我是在常温下生长的啊，要的就是非晶态，升高温度znsno3会朝向zn2sno4 转变，而我现在只需要znsno3呢...
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我终于相信，时间万般变化只是一个故事，不然怎会有那么多的起承转合，那么多伏笔、悬念，曲折与分晓，那么多情理之中与意料之外，那么多蓦然回首与恍然大悟。
3楼2014-04-03 19:05:54
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于士辉

木虫 (文坛精英)
引用回帖:
3楼: Originally posted by xubomatrix at 2014-04-03 19:05:54
我是在常温下生长的啊，要的就是非晶态，升高温度znsno3会朝向zn2sno4 转变，而我现在只需要znsno3呢......

常温下生不成znsno3,可能就是ZnO和SnO2的混合物，结晶不了,导电性自然不好!薄膜里面那么多缺陷，非常影响导电性。建议还是不要做znsno3导电薄膜了,我曾经也做过,不过效果也是一直不好!不如做氧化锡或氧化锌好做。
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4楼2014-04-03 22:07:56
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