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xubomatrix

铁虫 (小有名气)

[求助] 我用的分子束外延做的半导体薄膜 ,方阻太大了 已有2人参与

我用的MBE做的znsno3半导体薄膜,

实验结果,200nm左右半导体薄膜厚度透光率很高,百分之九十左右,可是方块电阻达到了0.5E5左右,
和文献上差的太远了,太大了
我一直在想,到底是什么原因造成此氧化物薄膜的电阻如此的高呢??
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我终于相信,时间万般变化只是一个故事,不然怎会有那么多的起承转合,那么多伏笔、悬念,曲折与分晓,那么多情理之中与意料之外,那么多蓦然回首与恍然大悟。
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于士辉

木虫 (文坛精英)


引用回帖:
3楼: Originally posted by xubomatrix at 2014-04-03 19:05:54
我是在常温下生长的啊,要的就是非晶态,升高温度znsno3会朝向zn2sno4 转变,而我现在只需要znsno3呢......

常温下生不成znsno3,可能就是ZnO和SnO2的混合物,结晶不了,导电性自然不好!薄膜里面那么多缺陷,非常影响导电性。建议还是不要做znsno3导电薄膜了,我曾经也做过,不过效果也是一直不好!不如做氧化锡或氧化锌好做。
4楼2014-04-03 22:07:56
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于士辉

木虫 (文坛精英)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
测一下XRD,偏锡酸锌在生长温度为700度以下不容易结晶。如果用后退火的方法又会导致氧空位减少,最好的方法就是提高生长温度,并调节生长气氛。
2楼2014-04-03 11:50:10
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xubomatrix

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 于士辉 at 2014-04-03 11:50:10
测一下XRD,偏锡酸锌在生长温度为700度以下不容易结晶。如果用后退火的方法又会导致氧空位减少,最好的方法就是提高生长温度,并调节生长气氛。

我是在常温下生长的啊,要的就是非晶态,升高温度znsno3会朝向zn2sno4 转变,而我现在只需要znsno3呢...
我终于相信,时间万般变化只是一个故事,不然怎会有那么多的起承转合,那么多伏笔、悬念,曲折与分晓,那么多情理之中与意料之外,那么多蓦然回首与恍然大悟。
3楼2014-04-03 19:05:54
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xubomatrix

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by 于士辉 at 2014-04-03 22:07:56
常温下生不成znsno3,可能就是ZnO和SnO2的混合物,结晶不了,导电性自然不好!薄膜里面那么多缺陷,非常影响导电性。建议还是不要做znsno3导电薄膜了,我曾经也做过,不过效果也是一直不好!不如做氧化锡或氧化锌好做。...

znsno3文献上写的就是非晶结构,且透明导电啊,我现在课题是定了的啊,就是想找个方法改进一下哪里的工艺,使得电阻下降
我终于相信,时间万般变化只是一个故事,不然怎会有那么多的起承转合,那么多伏笔、悬念,曲折与分晓,那么多情理之中与意料之外,那么多蓦然回首与恍然大悟。
5楼2014-04-04 13:21:17
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