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制备P型硅/n型氧化锌太阳能电池，求助 已有1人参与
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小硕硕一枚，在制备P型硅/n型氧化锌太阳能电池中，因自己是半路出家型的，对PN结什么的了解有限，问题层出不穷，焦头烂额，期待各位大侠帮忙解惑，跪谢！具体是这样的：我选用P型硅为基底，在基底上刻蚀出纳米线，高2μm，在其上溅射150纳米ZnO和100纳米ITO,背面蒸镀200纳米铝，让后测其在光照下的I-V曲线，确没电压，电流，变成一电阻了！为了避免短路，我在各步沉积时都会把基底周边用绝缘胶包起来，我的问题是： 1、我是用金催化刻蚀的纳米线，曾试过用王水溶金，但金没溶掉，反而破坏了纳米线，所以后来直接不除金了，这对电池有影响吗？ 2、氧化锌大多是在线的上半段，且没有填满线与线直接的缝隙，再沉积ITO时，ITO如果沉积在底下的金上或者P型硅上（也就是说正面电极和基底接触了）这会造成电池短路吗？ 3、我在P型硅上用溅射的方法弄上氧化锌，这样算不算形成了P-N结？ |
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3楼2014-04-04 11:04:54
oceanshmily
银虫 (正式写手)
- 应助: 8 (幼儿园)
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- 散金: 1302
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2楼2014-04-02 22:31:43
