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帮我翻译一段话吧 制备态时，在MgO/NiFe/Pt结构中，MgO/NiFe界面要比Pt/NiFe/MgO中的NiFe/MgO界面更direct and distinguishable，因而更有利自旋极化电子的输运，从而获得较大的磁电阻值。即使退火后，仍然要比样品Pt/NiFe/MgO的MR大了约0.1%。 |
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RXMCDM
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【答案】应助回帖
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so ---that 因为direct and distinguishable than NiFe/MgO of Pt/NiFe/MgO 所以beneficial to spin-polarized electron transport 因而更有利自旋极化电子的输运。从而获得较大的磁电阻值这句没看懂，是不是 利自旋极化电子的输运 从而获得较大的磁电阻值 The as-deposited state MgO/NiFe grain boundary of MgO/NiFe/Pt structure is so direct and distinguishable than NiFe/MgO of Pt/NiFe/MgO that is beneficial to spin-polarized electron transport， thereby a larger magnetoresistance is obtained. Even after annealing,the MR of MgO/NiFe/Pt is 0.1% than that of Pt/NiFe/MgO. |
5楼2014-03-26 11:29:45
RXMCDM
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【答案】应助回帖
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The as-deposited state MgO/NiFe grain boundary of MgO/NiFe/Pt structure is so direct and distinguishable than NiFe/MgO of Pt/NiFe/MgO that is beneficial to spin-polarized electron transport with higher magnetoresistance .Even after annealing,the MR of MgO/NiFe/Pt is 0.1% than that of Pt/NiFe/MgO. 供参考，制备态对不对？获得较大的磁电阻值和自旋极化电子的输运是何关系？是否自旋极化电子的输运即可获得较大的磁电阻值？如果是，就可这样翻。如果不是，看看能否自己调整。 |
2楼2014-03-25 16:25:08
3楼2014-03-26 11:03:32
4楼2014-03-26 11:04:14
