| 查看: 428 | 回复: 2 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
[求助]
V2O3掺杂Cu做阻变器薄膜，应该怎么做到良好的掺杂？
|
||
| V2O3掺杂Cu做阻变器薄膜，应该怎么做到良好的掺杂？如果使用组合靶，选择什么比例比较合适？着急啊，老板说这几天就把组合靶比例定下来，我们只是比较掺杂和不掺杂，不比较掺杂量。但是相关文献里也没有涉及比较好的掺杂量的选择。另：不知道有没有其他合适的掺杂方法呢？实验室用的是磁控溅射设备，不是溶胶凝胶。 |
回复此楼» 猜你喜欢
22408 344分 求调剂 一志愿 华电计算机技术
已经有4人回复
-
材料专硕英一数二306
已经有7人回复
-
南京大学化学376求调剂
已经有6人回复
-
南昌大学材料专硕311分求调剂
已经有5人回复
-
295求调剂
已经有6人回复
-
一志愿南昌大学，327分，材料与化工085600
已经有9人回复
-
294求调剂材料与化工专硕
已经有15人回复
-
308求调剂
已经有3人回复
-
321求调剂
已经有11人回复
-
一志愿中海洋材料工程专硕330分求调剂
已经有8人回复
3楼2015-02-20 10:41:06
201516darry
金虫 (正式写手)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 321.4
- 散金: 1499
- 红花: 26
- 帖子: 796
- 在线: 425.3小时
- 虫号: 3599073
- 注册: 2014-12-17
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
2楼2015-02-20 08:53:37
