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yaingy

木虫 (小有名气)

[求助] Nyquist的高频部分出现斜率为负的直线是怎么回事?已有3人参与

大家帮忙看看Nyquist图的高频部分出现斜率为负的直线是怎么回事?谢谢~~

Nyquist的高频部分出现斜率为负的直线是怎么回事?
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王艳(焕)

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
yaingy(zlin代发): 金币+3, 鼓励应助! 2014-03-17 10:20:09
低频出现感抗弧的电化学体系
法拉第电流不仅与电极电位有关,而且受电极表面状态变量X影响,而这个状态变量本身又是电极电位E的函数,则会有 ,式中
当B>0时,  ,低频部分出现感抗弧。
当电极反应出现中间产物时,这种中间产物吸附与金属电极表面产生表面吸附络合物,该表面络合物产生于电极反应的第一步,而消耗于第二步反应,而一般情况下,吸附过程的弛豫时间常数要比电双层电容Cdl与Rt组成的充放电过程的弛豫时间常数RtCdl大的多,因此在阻抗图的低频部分会出现感抗弧。当B<0时,上式可改写为 ,进一步可以得到法拉第阻抗 ,这相当于RC并联电路,即法拉第阻抗本身具有一个时间常数,加上双电层电容,整个EIS出现两个容抗弧
我再文献中见过和你这一样的图,这是那个图的解释,希望对你有帮助
如果能够做到一百二十分,为什么要屈就于一百分
2楼2014-03-17 09:56:40
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王艳(焕)

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
yaingy: 金币+3 2014-03-19 13:54:10
http://pan.baidu.com/s/1gdFYmif 相关文献,有公式好像没粘贴上
如果能够做到一百二十分,为什么要屈就于一百分
3楼2014-03-17 09:59:11
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yaingy

木虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 王艳(焕) at 2014-03-17 09:56:40
低频出现感抗弧的电化学体系
法拉第电流不仅与电极电位有关,而且受电极表面状态变量X影响,而这个状态变量本身又是电极电位E的函数,则会有 ,式中
当B>0时,  ,低频部分出现感抗弧。
当电极反应出现中间产物 ...

低频部分是感抗弧,但是高频部分斜率为负是怎么回事?容抗弧的起点实部不是0,在是为什么?谢谢!
4楼2014-03-17 11:57:22
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王艳(焕)

木虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by yaingy at 2014-03-17 11:57:22
低频部分是感抗弧,但是高频部分斜率为负是怎么回事?容抗弧的起点实部不是0,在是为什么?谢谢!...

你可以看一下,我发的那个文献,哪里说的很清楚
如果能够做到一百二十分,为什么要屈就于一百分
5楼2014-03-17 18:04:29
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ghhit

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
王艳(焕): 金币+2, 感谢交流,希望多多参与讨论 2014-03-22 08:59:40
首先,你应该将频率测试范围调至足够高。以此判断它是否为半圆的一部分!
若受仪器限制,还可以结合Bode图来判断。
建议参看此文献:Influence of Surface States on the Evaluation of the Flat Band Potential of TiO2. ACS Appl. Mater. Interfaces., 2014, 6, 2401~2406.
初步判断,这是亥姆霍兹层所引起的!具体还需结合你的研究体系确定。
6楼2014-03-17 19:07:49
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yaingy

木虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by 王艳(焕) at 2014-03-17 18:04:29
你可以看一下,我发的那个文献,哪里说的很清楚...

谢谢版主哇,那个我看了,挺有用的。但是现在还是不明白高频处的那个斜率为负的表示什么?
7楼2014-03-19 13:50:35
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goshen

铁杆木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

mansfield有篇文献讲过,高频容抗,是参比电极内阻过大引起的,对结果影响不大,如果想去除这种影响,建议校正一下参比电极。
走错一步,满盘皆输
8楼2014-04-09 19:12:24
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goshen

铁杆木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

此外,低频区得阻抗也不是感抗,只不过是实验条件没控制好的,时效收缩效应而已。
建议好好控制实验条件。
走错一步,满盘皆输
9楼2014-06-28 07:50:30
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