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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 硅电池钝化膜，北京哪儿能测C-V曲线，怎样由其计算界面缺陷密度？
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ytusnow

新虫 (小有名气)

[求助] 硅电池钝化膜，北京哪儿能测C-V曲线，怎样由其计算界面缺陷密度？ 已有1人参与

硅电池氧化硅氮化硅钝化膜，北京哪儿能测C-V曲线，怎样由其计算界面缺陷密度？
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1楼 2014-03-14 14:21:25
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aboveuu

木虫 (著名写手)
我是做硅电池的,也在寻找相关的资源

复旦大学可以测试,但是不对外.他们的老师很nice的说可以免费帮我测.

但是我的样很多啊,不好意思
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makingthewordabetterplacejustmakessence
5楼2014-03-19 20:00:20
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elixiryy

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
我也想知道。
看过一些文章，低频和高频电容差异可以定性的看出表面缺陷密度；
还有，直接测电导（conductance）可以直接知道表面缺陷密度；
Impedance spectrum 能知道电池的更多信息，但是，等效电路不大容易解释。
也许还有其他方法可以测表面态。
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2楼2014-03-15 10:03:10
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ytusnow

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by elixiryy at 2014-03-15 10:03:10
我也想知道。
看过一些文章，低频和高频电容差异可以定性的看出表面缺陷密度；
还有，直接测电导（conductance）可以直接知道表面缺陷密度；
Impedance spectrum 能知道电池的更多信息，但是，等效电路不大容易解 ...

嗯谢谢了，关于怎样由C-V测量来计算缺陷密度，能详细介绍一下吗
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3楼2014-03-16 10:52:49
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elixiryy

金虫 (正式写手)
mjx150: 欢迎到本版交流 2014-03-17 10:46:30
引用回帖:
3楼: Originally posted by ytusnow at 2014-03-16 10:52:49
嗯谢谢了，关于怎样由C-V测量来计算缺陷密度，能详细介绍一下吗...

看看这篇文章吧，介绍的很详细
E. Nicollian, A. Goetzberger, The Si‐SiO2 Interface—Electrical Properties as Determined by the Metal‐Insulator‐Silicon Conductance Technique, Bell Syst. Tech. J. (1967).
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4楼2014-03-17 10:01:52
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