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1楼2014-03-14 14:21:25

ytusnow

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引用回帖:

2楼: Originally posted by elixiryy at 2014-03-15 10:03:10
我也想知道。
看过一些文章，低频和高频电容差异可以定性的看出表面缺陷密度；
还有，直接测电导（conductance）可以直接知道表面缺陷密度；
Impedance spectrum 能知道电池的更多信息，但是，等效电路不大容易解 ...

嗯谢谢了，关于怎样由C-V测量来计算缺陷密度，能详细介绍一下吗

3楼2014-03-16 10:52:49

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elixiryy

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【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1

我也想知道。
看过一些文章，低频和高频电容差异可以定性的看出表面缺陷密度；
还有，直接测电导（conductance）可以直接知道表面缺陷密度；
Impedance spectrum 能知道电池的更多信息，但是，等效电路不大容易解释。
也许还有其他方法可以测表面态。

2楼2014-03-15 10:03:10

elixiryy

金虫 (正式写手)

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mjx150: 欢迎到本版交流 2014-03-17 10:46:30

引用回帖:

3楼: Originally posted by ytusnow at 2014-03-16 10:52:49
嗯谢谢了，关于怎样由C-V测量来计算缺陷密度，能详细介绍一下吗...

看看这篇文章吧，介绍的很详细
E. Nicollian, A. Goetzberger, The Si‐SiO2 Interface—Electrical Properties as Determined by the Metal‐Insulator‐Silicon Conductance Technique, Bell Syst. Tech. J. (1967).

4楼2014-03-17 10:01:52

aboveuu

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我是做硅电池的,也在寻找相关的资源

复旦大学可以测试,但是不对外.他们的老师很nice的说可以免费帮我测.

但是我的样很多啊,不好意思

makingthewordabetterplacejustmakessence

5楼2014-03-19 20:00:20