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nic111

木虫 (著名写手)

[求助] 关于在Ar保护管式炉煅烧条件下,半导体复合碳材料,半导体的XRD,以及raman不出峰

我现在做的一些半导体复合石墨烯,碳纳米管之类的复合材料,例如氧化铁复合石墨烯,二氧化钛包裹碳纳米管之类的,都是先在外面包裹一层无定型的半导体,或者负载无定型的半导体,然后拿这些粉体去在Ar保护下(因为我想留住碳材料),500或者550度煅烧,是半导体转为有晶型的,好做电池之类的应用,但是出来的样品xrd 或者Raman都没有峰只有碳材料的出峰,这是怎么回事?我是在Ar保护封闭条件下煅烧的,Ar不是一直通的。请问这是为什么?求解?我不想不想去水热,水热会使半导体颗粒粒径变大。
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爽shuang

新虫 (初入文坛)

温度会不会太高了,二氧化钛一般400或450℃
野马需要草原
2楼2015-08-03 17:26:27
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