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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » VASP计算六方BN的缺陷时时进行偶极修正， 即dipole corrections的问题
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wangjiang12

铁虫 (小有名气)

[求助] VASP计算六方BN的缺陷时时进行偶极修正， 即dipole corrections的问题 已有1人参与

各位VASP的高手
       大家好！小弟是VASP的新手，最近在计算六方BN的缺陷，总共196个原子，计算时觉得应该要加上偶极修正，即dipole corrections。所以在INCAR里面尝试分别设置 IDIPOL = 1,2,3,4进行计算。（没有设置DIPOL和LDIPOL，因为不是非常懂）
       计算结果如下：
  For IDIPOL = 1:
  DIPCOR: dipole corrections for dipol
  direction  1 min pos    76,
dipolmoment        -164.963149      1.868515      0.000000 electrons x Angstroem
Tr[quadrupol]    -21343.950543
energy correction for charged system         0.000000 eV
dipol+quadrupol energy correction          309.867790 eV
added-field ion interaction          0.000000 eV  (added to PSCEN)

For IDIPOL = 2:
DIPCOR: dipole corrections for dipol
direction  2 min pos   137,
dipolmoment           0.384939    -34.809948      0.000000 electrons x Angstroem
Tr[quadrupol]    -60708.131283
energy correction for charged system         0.000000 eV
dipol+quadrupol energy correction           19.814583 eV
added-field ion interaction          0.000000 eV  (added to PSCEN)

For IDIPOL = 3:
DIPCOR: dipole corrections for dipol
direction  3 min pos    81,
dipolmoment           0.000000      0.000000      0.000000 electrons x Angstroem
Tr[quadrupol]    -79324.968578
energy correction for charged system         0.000000 eV
dipol+quadrupol energy correction            0.000000 eV
added-field ion interaction          0.000000 eV  (added to PSCEN)

For IDIPOL=4:
DIPCOR: dipole corrections for dipol
direction  1 min pos    87, direction  2 min pos  112, direction  3 min pos    97,
dipolmoment           3.159018     94.771489      0.002912 electrons x Angstroem
Tr[quadrupol]     -4892.150186
energy correction for charged system         0.000000 eV
dipol+quadrupol energy correction           47.526385 eV
added-field ion interaction          0.000000 eV  (added to PSCEN)

IDIPOL = 1的计算结果比其他的大很多，不知道该采用哪个，请高手指导我如何正确进行偶极修正的计算吧。

非常感谢
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1楼 2014-03-11 10:34:42
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wangjiang12

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by golddoushi at 2014-03-11 18:34:51
具体不太清楚，我见过有人用半芯态的赝势算的比较准...

半芯态的赝势是指什么啊？

谢谢。
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7楼2014-03-12 10:11:11
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golddoushi

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
wangjiang12: 金币+5, ★★★★★最佳答案 2014-03-11 18:31:05
原则上都不能用，非立方结构dipole-dipole作用可以达到monopole-monopole 的30%以上，quardpole-dipole作用在半导体有缺陷的情况下也不可忽略
最重要的是，这里得出的数都是认为介电常数=1的，手册上强调了好几次，要手动除掉缺陷之间（超胞超胞之间）介质的介电常数，然后手动加到能量上
所以你可以
1.计算介电常数，或者查到
2.测试dipole的位置，因为边界条件的关系任何方法都不能直接算出体系离子贡献的电矩（你假定这个东西是无限大的）。dipole取正电中心，到负电中心之间的各个点，直到校正项最小。也可能直接落在缺陷位置。此外要确保dipole落在电荷FFT的节点上，这个通过NGFX/NGFY/NGFZ控制，或移动缺陷到原点
3.测试超胞尺寸对偶极校正能量的影响，一直加大到能量变化不大（10%以内），取可以接受的最大的超胞
4.把计算结果手动除以介电常数，加到没有修正的能量上。

================
假如你对能量不感兴趣，或者你的电子结构会因为这个内部电矩有质的变化（比如铁磁和顺磁的区别）
那这些都不用做了，因为vasp永远得不到正确的解
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2楼2014-03-11 13:05:05
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wangjiang12

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by golddoushi at 2014-03-11 13:05:05
原则上都不能用，非立方结构dipole-dipole作用可以达到monopole-monopole 的30%以上，quardpole-dipole作用在半导体有缺陷的情况下也不可忽略
最重要的是，这里得出的数都是认为介电常数=1的，手册上强调了好几次， ...

非常感谢您的回复，看起来过程好复杂啊。那您认为如果我不做dipole corrections, 直接对比不同缺陷排布下的能量大小，可以吗
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3楼2014-03-11 15:17:00
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golddoushi

木虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by wangjiang12 at 2014-03-11 15:17:00
非常感谢您的回复，看起来过程好复杂啊。那您认为如果我不做dipole corrections, 直接对比不同缺陷排布下的能量大小，可以吗...

通常情况约有 0.1eV ~ 1eV 数量级的误差。如果你的材料介电常数较小，误差还会更大。
dipole - dipole 作用的能量正比于 1/L3， monopole - monopole 正比于1/L，quardpole - dipole正比 1/L^5 或者更高次方。他们都反比于介电常数。
不过你不提这事也没人会说你，这个比较偏
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4楼2014-03-11 15:57:47
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