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通过调控层状结构诱导的内电场强度来增强卤氧化铋的光催化活性 （Bi3O4Cl）
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控制晶面暴露已经成为调控半导体光催化活性的一个重要手段。一般来说，对晶面效应的传统理解是半导体的光催化活性主要依赖于晶面有关的表面性质。但是，最近的一些晶面研究发现晶面依赖的能带结构和电荷转移途径是影响光催化活性的主要因素，引起了我们对于晶面效应的混乱认识。因此，揭示晶面效应对光活性影响的原因极其重要，而且这也是一个巨大的挑战。 最近Nanoscale上发表了一篇通过调控通过调控层状结构诱导的内电场强度来增强卤氧化铋的光催化活性的文章，并被选为了“Hot article”。文章报道，Bi3O4Cl纳米片更多的{001}晶面暴露可以诱导产生更强的内电场，这有利于光生载流子的分离和转移，从而增强光反应活性。这些发现可以有效地揭示晶面对光反应活性影响的深层次原因，也为光催化活性的调控提供了一个新的策略。 We prepared Bi3O4Cl single-crystalline nanosheets with high {001} facet exposure percentages and demonstrated that their photoreactivity strongly depended on the magnitude of the internal electric field (IEF), which was correlated with the {001} facet exposure percentage. More {001} facet exposure could induce the generation of stronger IEF, which favored the photogenerated charge separation and transfer, and thus enhancing the photoreactivity.  图片1.jpg |
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2014-03-08 16:41:29, 543.87 K
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