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xz275149045铁虫 (正式写手)
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[求助]
关于光电化学实验中电极与硅片形成欧姆接触的问题
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给位大牛，我想请教一下，我在做电化学测试我的样品的光电流的过程中，看到很多文献中 说使用Ga-In合金在Si片背面粘接然后可以形成欧姆接触。但是我们呢实验室没有Ga，想问下只用 In行不行？ 如果从功函数角度出发，我使用的是p-Si，虽然掺杂浓度我不知道，但其功函数在4.87~4.99eV， 而In的功函数为4.12eV，Ga的为4.2eV，其合金的功函数我不知道，但估计是比p-Si低，这样的话 应该是形成整流接触才对，而不是欧姆接触。这一点弄不明白。 希望各位大牛能够答疑解惑，不甚感激！ |
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