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hushaozheng

金虫 (小有名气)

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[求助] 有关光催化剂p-n结问题，谁能帮解释一下？已有2人参与

最近看文献，是关于BiOI-C3N4异质结催化剂的，有这么一段话，原文如下：

When p-type BiOI and n-type p-g-C3N4 are in contact, since the CB potential of p-g-C3N4 is more negative than that of BiOI, the electrons will diffusion from p-g-C3N4 to BiOI, resulting in accumulation of negative charges in BiOI close to the junction. At the same time, the holes transfer from BiOI top-g-C3N4, leaving a positive section in p-g-C3N4 near the junction. With equilibration of BiOI and p-g-C3N4 Fermi levels, the diffusion of electrons from p-g-C3N4 to BiOI stops. Meanwhile, the energy bands of BiOI shift upward along the Fermi level (EFp) and those of the p-g-C3N4 shift downward along its Fermi level (EFn), as shown in Fig. 9b. As a result, the CB bottom of BiOI became higher than that of p-g-C3N4. Under visible-light irradiation, both BiOI and p-g-C3N4 absorb photons of energy greater than the corresponding band gap energy, which excite the electrons in the VB to the CB and leave holes in the VB. The electrons in the conduction band of the p-BiOI are then transferred to the n-type p-g-C3N4, and the holes remain in the valence band of BiOI. The migration of photogenerated carriers can be promoted by the inner electric field established at the heterojunction interfaces.

我理解大概是这个意思：C3N4的导带比BiOI的导带更负，电子从C3N4传递到BiOI，价带BiOI比C3N4更正，所以空穴从BiOI传向C3N4，当达到某种平衡后，价带和导带位置会发生变化，使情况正好相反，电子从BiOI传递到C3N4，空穴从C3N4传向BiOI。这是为什么呢？有没有大牛能给系统又简明直白的解释一下，谢谢！

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g-C3N4

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1楼 2014-03-04 14:52:27

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amygod

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引用回帖:

6楼: Originally posted by amygod at 2014-03-06 10:30:16
当二者接触的时候，C3N4的导带比BiOI的导带更负，电子从C3N4扩散至BiOI，从而导致在二者接触处（异质结处）靠近BiOI的一边有负电荷积累；同时，空穴从BiOI扩散至C3N4，导致在异质结靠近C3N4的一边有正电荷积累；当二 ...

可以看看有关半导体的文献或技术资料。如果偏向于光催化剂的可能不多。