应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 使用ALD设备生长的Al2O3没有绝缘性怎么弄？
71/1返回列表
查看: 1559  |  回复: 6
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

teedy520

禁虫 (初入文坛)
本帖内容被屏蔽

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
1楼 2014-02-27 20:59:22
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

xp2567342

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
据我所知ALD氧化铝只要有10几纳米绝缘性就很好了，水的wait时间是不是太长了？
赞一下 回复此楼
2楼2014-02-27 21:50:28
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

teedy520

禁虫 (初入文坛)
本帖内容被屏蔽
3楼2014-02-28 09:54:50
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

xp2567342

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by teedy520 at 2014-02-28 09:54:50
水的wait时间太长了会对氧化铝的生长造成影响吗？这个我也不是很清楚的，哦，对了，那个是清洗的时间的，我弄错了的，不是wait的时间...

wait时间就是清洗时间，我一般都是调跟三甲基铝一样的

[ 发自小木虫客户端 ]
赞一下 回复此楼
4楼2014-03-04 12:53:57
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

teedy520

禁虫 (初入文坛)
本帖内容被屏蔽
5楼2014-03-10 20:18:35
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

ms_hit_yzy

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

用的是硅片还是氧化硅片？硅片的话，它表面有羟基跟三甲基铝反应把Al留在其表面吗？
赞一下 回复此楼
6楼2014-05-19 23:16:02
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zhilantian

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

你的脉冲时间真不短，前驱体应该是足量了；
可以考虑提高一下沉积温度，绝缘性不好，怀疑氧化铝层中还有－OH基的存在
你用哪家的设备？
赞一下 回复此楼
7楼2014-10-09 09:38:09
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 teedy520 的主题更新
71/1返回列表
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭