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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 使用ALD设备生长的Al2O3没有绝缘性怎么弄？
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teedy520

禁虫 (初入文坛)
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1楼 2014-02-27 20:59:22
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xp2567342

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
据我所知ALD氧化铝只要有10几纳米绝缘性就很好了，水的wait时间是不是太长了？
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2楼2014-02-27 21:50:28
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teedy520

禁虫 (初入文坛)
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3楼2014-02-28 09:54:50
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xp2567342

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by teedy520 at 2014-02-28 09:54:50
水的wait时间太长了会对氧化铝的生长造成影响吗？这个我也不是很清楚的，哦，对了，那个是清洗的时间的，我弄错了的，不是wait的时间...

wait时间就是清洗时间，我一般都是调跟三甲基铝一样的

[ 发自小木虫客户端 ]
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4楼2014-03-04 12:53:57
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teedy520

禁虫 (初入文坛)
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5楼2014-03-10 20:18:35
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ms_hit_yzy

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

用的是硅片还是氧化硅片？硅片的话，它表面有羟基跟三甲基铝反应把Al留在其表面吗？
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6楼2014-05-19 23:16:02
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zhilantian

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

你的脉冲时间真不短，前驱体应该是足量了；
可以考虑提高一下沉积温度，绝缘性不好，怀疑氧化铝层中还有－OH基的存在
你用哪家的设备？
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7楼2014-10-09 09:38:09
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