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shiwujiang

铜虫 (初入文坛)

[交流] [求助]si随温度变化的应力的情况下带隙是变大还是变小

我这的样品是用RDE方法,用外延型si(100)作为衬底,外延生长的beta-fesi2样品,生长温度为500度,最后在Ar中900度退火14h。
   界面为fesi2(100)//si(001),fesi2(010)//si(001).界面处fesi2和si由于晶格不匹配,产生了应变,且由于fesi2和si由于热膨胀系数不同,晶格常数会随着温度的变化,它们的应变也会发生变化。我假设了si和fesi2都发生了应变,计算了其中si的带隙的变化随应变的变化。我这有一个问题想问您一下:
   请问界面处(1)si的应变是不是会导致si带隙的改变呢?(2)如果是的话,那随着温度的升高,由变化的应变导致的si带隙的变化是使带隙变大还是变小呢?

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shiwujiang

铜虫 (初入文坛)

能说的具体点吗?比如带隙变化是怎样计算的?

能说的具体点吗?比如带隙变化是怎样计算的?
我这里是算了(1)静压应变(2)双轴应变,但是得出来的结果是使带隙变小且变化趋势是越变越负,也就是带隙变化量越来越大

[ Last edited by shiwujiang on 2008-1-26 at 12:41 ]
4楼2008-01-26 12:37:12
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龙呤虎啸

木虫 (小有名气)

★ ★ ★ ★ ★
shiwujiang(金币+5,VIP+0):谢谢你!不过可以说的更具体点吗?
(1)si的应变会导致si带隙的改变
(2)随着温度的升高,由变化的应变导致的si带隙的变化是使带隙变大
3楼2008-01-25 19:46:09
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