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[求助]si随温度变化的应力的情况下带隙是变大还是变小
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我这的样品是用RDE方法，用外延型si（100）作为衬底，外延生长的beta-fesi2样品，生长温度为500度，最后在Ar中900度退火14h。 界面为fesi2（100）//si(001),fesi2(010)//si(001).界面处fesi2和si由于晶格不匹配，产生了应变，且由于fesi2和si由于热膨胀系数不同，晶格常数会随着温度的变化，它们的应变也会发生变化。我假设了si和fesi2都发生了应变，计算了其中si的带隙的变化随应变的变化。我这有一个问题想问您一下： 请问界面处（1）si的应变是不是会导致si带隙的改变呢？（2）如果是的话，那随着温度的升高，由变化的应变导致的si带隙的变化是使带隙变大还是变小呢？ |
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