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[求助]si随温度变化的应力的情况下带隙是变大还是变小
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我这的样品是用RDE方法,用外延型si(100)作为衬底,外延生长的beta-fesi2样品,生长温度为500度,最后在Ar中900度退火14h。 界面为fesi2(100)//si(001),fesi2(010)//si(001).界面处fesi2和si由于晶格不匹配,产生了应变,且由于fesi2和si由于热膨胀系数不同,晶格常数会随着温度的变化,它们的应变也会发生变化。我假设了si和fesi2都发生了应变,计算了其中si的带隙的变化随应变的变化。我这有一个问题想问您一下: 请问界面处(1)si的应变是不是会导致si带隙的改变呢?(2)如果是的话,那随着温度的升高,由变化的应变导致的si带隙的变化是使带隙变大还是变小呢? |
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